Kion mi povas fari por ripari mian MOSFET kiu malbone varmiĝas?

Elektroprovizo cirkvitoj, aŭ nutrado cirkvitoj en la kampo de propulso, neeviteble uzasMOSFEToj, kiuj estas de multaj tipoj kaj havas multajn funkciojn. Por ŝanĝado de elektroprovizo aŭ propulsaplikoj, estas nature uzi ĝian ŝanĝan funkcion.

Sendepende de N-tipo aŭ P-tipoMOSFET, La principo estas esence la sama, MOSFET estas aldonita al la pordego de la ligo fino de la fluo reguligi la eligo flanko de la drenilo fluo, MOSFET estas tensio-kontrolita aparato ĝi baziĝas sur la fluo aldonita al la pordego sur la manipulado de la karakterizaĵoj de la aparato, ne inklinas ŝanĝi kiel transistoro pro baza kurento kaŭzita de la pozitiva ŝarga stokado-efiko, kaj tial, en la ŝanĝa apliko, la MOSFET-ŝanĝa indico devus esti. pli rapide ol la transistoro. La ŝanĝrapideco devus esti pli rapida ol la triodo.

MOSFETmalgrand-kurenta hejtado kaŭzas

1, la cirkvito principo de la problemo estas lasi la MOSFET labori en la lineara stato de operacio, prefere ol en la ŝanĝa situacio. Ĉi tio ankaŭ estas kaŭzo de MOSFET-varmo. Se la N-MOS ŝaltanta, G-nivelo mastruma tensio ol la konmuta nutrado kelkaj V, por esti tute sur kaj malŝaltita, P-MOS estas inverse. Ne tute sur kaj perdo estas tro granda rezultanta en eligo potenco disipado, la ekvivalenta cirkvito DC karakteriza impedanco estas pli granda, la perdo estas vastigita, do U * I estas ankaŭ vastigita, malplenigo reprezentas varmegon. Ĉi tio ankaŭ estas la plej evitita malĝusta dezajnprograma kontrolcirkvito.

2, la ofteco estas tro alta, ĉefe foje tro da serĉado de perfekta volumo, rezultigante frekvencon plibonigo, MOSFET sur la ekspansio de la konsumo, do la varmo ankaŭ pliiĝis.

3, ne faris sufiĉa varmego ekskludo dezajno programo, la fluo estas tro alta, MOSFET toleremo nuna valoro, ĝenerale devas konservi bonan varmo forigo povas esti farita. Sekve, ID estas pli malalta ol la pli alta fluo, ĝi ankaŭ verŝajne varmiĝos pli serioza, devas sufiĉi por helpi la varmegon.

4, MOSFET-modelelektado ne ĝustas, la eliga potenco ne ĝustas, MOSFET-rezisto ne estas konsiderata, rezultigante la ekspansion de la ŝanĝa karakteriza impedanco.

MOSFET malgranda nuna hejtado estas pli serioza kiel solvi?