Kio estas la kaŭzoj de hejtado de invetilo MOSFET?

La MOSFET de la invetilo funkcias en ŝanĝa stato kaj la fluo fluanta tra la MOSFET estas tre alta. Se la MOSFET ne estas konvene elektita, la veturanta tensio-amplitudo ne estas sufiĉe granda aŭ la cirkvito varmo disipado ne estas bona, ĝi povas kaŭzi la MOSFET varmiĝi.

1, inverter MOSFET hejtado estas serioza, devus atenti laMOSFETelekto

MOSFET en la invetilo en la ŝanĝa stato, ĝenerale postulas ĝian drenan kurenton kiel eble plej grandan, sur-reziston kiel eble plej malgrandan, por ke vi povu redukti la saturan tensiofalon de la MOSFET, tiel reduktante la MOSFET ekde la konsumo, redukti la varmego.

Kontrolu la MOSFET-manlibron, ni trovos, ke ju pli alta estas la rezist-tensiovaloro de la MOSFET, des pli granda estas ĝia surrezisto, kaj tiuj kun alta drena kurento, malalta rezist-tensio-valoro de la MOSFET, ĝia sur-rezisto ĝenerale estas sub dekoj da. miliohmoj.

Supozante, ke la ŝarĝa fluo de 5A, ni elektas la invetilon kutime uzatan MOSFETRU75N08R kaj eltenas tensiovaloron de 500V 840 povas esti, ilia drena kurento estas en 5A aŭ pli, sed la sur-rezisto de la du MOSFET-oj estas malsamaj, veturas la saman kurenton. , ilia varmodiferenco estas tre granda. 75N08R sur-rezisto estas nur 0.008Ω, dum la sur-rezisto de 840 La sur-rezisto de 75N08R estas nur 0.008Ω, dum la sur-rezisto de 840 estas 0.85Ω. Kiam la ŝarĝa fluo fluanta tra la MOSFET estas 5A, la tensiofalo de la MOSFET de 75N08R estas nur 0.04V, kaj la MOSFET-konsumo de MOSFET estas nur 0.2W, dum la tensiofalo de la MOSFET de 840 povas esti ĝis 4.25W, kaj la konsumo. de MOSFET estas same alta kiel 21.25W. De ĉi tio, oni povas vidi, ke la sur-rezisto de MOSFET estas diferenca de la sur-rezisto de 75N08R, kaj ilia varmogenerado estas tre malsama. Ju pli malgranda la sur-rezisto de la MOSFET, des pli bone, la sur-rezisto de la MOSFET, la MOSFET-tubo sub alta kurenta konsumo estas sufiĉe granda.

2, la veturanta cirkvito de la veturanta tensio-amplitudo ne estas sufiĉe granda

MOSFET estas tensio-kontrola aparato, se vi volas redukti la konsumon de la tubo de MOSFET, malpliigi varmegon, la amplekso de tensio de la pordego de MOSFET devas esti sufiĉe granda, konduku pulsan randon al kruta, povas redukti laMOSFETtubo tensiofalo, redukti MOSFET-tuban konsumon.

3, MOSFET varmo disipado ne estas bona kialo

Inverter MOSFET-hejtado estas serioza. Ĉar la invetila MOSFET-tuba konsumo estas granda, la laboro ĝenerale postulas sufiĉe grandan eksteran areon de la varmega lavujo, kaj la ekstera varmolavujo kaj la MOSFET mem inter la varmolavujo devus esti en proksima kontakto (ĝenerale postulata por esti kovrita per termike kondukta). silikona graso), se la ekstera varmego estas pli malgranda, aŭ kun la MOSFET mem ne estas sufiĉe proksima al la kontakto de la varmego, povas konduki al MOSFET-hejtado.

Inverter MOSFET hejtado serioze estas kvar kialoj por la resumo.

MOSFET iomete hejtado estas normala fenomeno, sed la hejtado estas grava, kaj eĉ kondukas al la MOSFET estas bruligita, estas la jenaj kvar kialoj:

1, la problemo de cirkvito-dezajno

Lasu la MOSFET labori en lineara funkcia stato, prefere ol en la ŝanĝa cirkvitoŝtato. Ĝi ankaŭ estas unu el la kaŭzoj de MOSFET-hejtado. Se la N-MOS faras la ŝanĝadon, la G-nivela tensio devas esti kelkaj V pli alta ol la nutrado por esti plene ŝaltita, dum la P-MOS estas la malo. Ne plene malfermita kaj la tensiofalo estas tro granda rezultigante elektrokonsumon, la ekvivalenta DC-impedanco estas pli granda, la tensiofalo pliiĝas, do U * I ankaŭ pliiĝas, la perdo signifas varmegon. Ĉi tiu estas la plej evitita eraro en la dezajno de la cirkvito.

2, tro alta frekvenco

La ĉefa kialo estas, ke foje la troa serĉado de volumo, rezultigante pliigitan ofteco,MOSFETperdoj sur la granda, do la varmo ankaŭ pliiĝas.

3, ne sufiĉa termika dezajno

Se la fluo estas tro alta, la nominala nuna valoro de la MOSFET, kutime postulas bonan varmodissipadon por atingi. Do la ID estas malpli ol la maksimuma kurento, ĝi ankaŭ eble varmiĝas malbone, bezonas sufiĉe da helpa varmego.

4, MOSFET-elekto estas malĝusta

Malĝusta juĝo de potenco, MOSFET interna rezisto ne estas plene konsiderata, rezultigante pliigitan ŝanĝan impedancon.