Kio Estas la Avantaĝoj de Potencaj MOSFEToj?

Potencaj MOSFEToj fariĝis la aparato elektita en modernaj elektronikaj aplikoj, revoluciante la industrion per siaj superaj agado-karakterizaĵoj. Ĉi tiu ampleksa analizo esploras la multajn avantaĝojn kiuj faras potencajn MOSFETojn nemalhaveblaj en la hodiaŭaj elektronikaj sistemoj.

1. Tensio-Kontrolita Operacio

Male al dupoluskructransistoroj (BJToj) kiuj estas kurent-kontrolitaj aparatoj, potencaj MOSFEToj estas tensi-kontrolitaj. Ĉi tiu fundamenta karakterizaĵo ofertas plurajn signifajn avantaĝojn:

Simpligitaj pordegaj postuloj
Pli malalta konsumo en la kontrola cirkvito
Pli rapidaj ŝanĝkapabloj
Neniuj malĉefaj paneoj

Komparo de BJT kaj MOSFET-pordegveturilcirkvitoj

Figuro 1: Simpligitaj pordegaj veturpostuloj de MOSFEToj kompare kun BJToj

2. Supera Ŝanĝa Agado

Potencaj MOSFET-oj elstaras en altfrekvencaj ŝanĝaj aplikoj, ofertante multajn avantaĝojn super tradiciaj BJT-oj:

Ŝanĝanta rapideckomparo inter MOSFET kaj BJT

Figuro 2: Ŝanĝanta rapideckomparo inter MOSFET kaj BJT

Parametro	Potenco MOSFET	BJT
Ŝanĝa Rapido	Tre Rapida (ns-gamo)	Modera (μs intervalo)
Ŝanĝado de Perdoj	Malalta	Alta
Maksimuma Ŝanĝa Ofteco	> 1 MHz	~100 kHz

3. Termikaj Karakterizaĵoj

Potencaj MOSFEToj elmontras superajn termikajn karakterizaĵojn kiuj kontribuas al sia fidindeco kaj efikeco:

Termikaj karakterizaĵoj kaj temperaturkoeficiento

Figuro 3: Temperaturkoeficiento de RDS (sur) en potencaj MOSFEToj

Pozitiva temperaturkoeficiento malhelpas termikan forkuriĝon
Pli bona nuna kundivido en paralela operacio
Pli alta termika stabileco
Pli larĝa sekura operaciareo (SOA)

4. Malalta Sur-Ŝtata Rezisto

Modernaj potencaj MOSFEToj atingas ekstreme malaltan sur-ŝtatan reziston (RDS (on)), kondukante al pluraj avantaĝoj:

Historia tendenco de RDS(sur) plibonigo

Figuro 4: Historia plibonigo en MOSFET RDS(on)

5. Paralela Kapablo

Potencaj MOSFEToj povas esti facile konektitaj en paralelo por pritrakti pli altajn fluojn, dank'al sia pozitiva temperaturkoeficiento:

Paralela operacio de MOSFEToj

Figuro 5: Nuna dividado en paralel-konektitaj MOSFEToj

6. Fortikeco kaj Fidindeco

Potencaj MOSFEToj ofertas bonegajn fortikajn kaj fidindecajn funkciojn:

Neniu sekundara paneofenomeno
Eneca korpdiodo por inversa tensioprotekto
Bonega lavanga kapablo
Alta dV/dt-kapablo

Komparo de Sekura Operacia Areo

Figuro 6: Sekura Operacia Areo (SOA) komparo inter MOSFET kaj BJT

7. Kostefikeco

Dum individuaj potencaj MOSFEToj eble havos pli altan komencan koston kompare kun BJToj, iliaj totalaj sistem-nivelaj avantaĝoj ofte rezultigas kostŝparojn: