Rigardu MOSFETojn

MOSFEToj estas izolaj MOSFEToj en integraj cirkvitoj.MOSFEToj, kiel unu el la plej bazaj aparatoj enla duonkonduktaĵo kampo, estas vaste uzataj en tabulnivelaj cirkvitoj same kiel en IC-dezajno.La drenilo kaj fonto deMOSFEToj povas esti interŝanĝitaj, kaj estas formitaj en P-tipa malantaŭpordego kun N-tipa regiono. Ĝenerale, la du fontoj estas interŝanĝeblaj, ambaŭ formante N-tipan regionon en laP-tipa malantaŭpordego. Ĝenerale, ĉi tiuj du zonoj estas samaj, kaj eĉ se ĉi tiuj du sekcioj estas ŝanĝitaj, la agado de la aparato ne estos tuŝita. Tial, la aparato estas konsiderita kiel simetria.

Principo:

MOSFET uzas VGS por kontroli la kvanton de "induktita ŝargo" por ŝanĝi la kondiĉon de la kondukta kanalo formita per tiuj "induktitaj ŝargoj" por kontroli la drenfluon. Kiam MOSFET-oj estas fabrikitaj, granda nombro da pozitivaj jonoj aperas en la izola tavolo per specialaj procezoj, tiel ke pli da negativaj ŝargoj povas esti sentataj aliflanke de la interfaco, kaj la N-regiono de la alt-permeablaj malpuraĵoj estas ligita per ĉi tiuj negativaj ŝargoj, kaj la kondukta kanalo estas formita, kaj relative granda drenilfluo, ID, estas generita eĉ se la VGS estas 0. Se la pordega tensio estas ŝanĝita, la kvanto de induktita ŝargo en la kanalo ankaŭ ŝanĝiĝas, kaj la larĝo de la kondukta kanalo samgrade ŝanĝiĝas. Se la pordega tensio ŝanĝiĝos, la kvanto de induktita ŝargo en la kanalo ankaŭ ŝanĝiĝos, kaj la larĝo en la kondukanta kanalo ankaŭ ŝanĝiĝos, do la drenil-kurenta ID ŝanĝiĝos kune kun la pordega tensio.

Rolo:

1. Ĝi povas esti aplikata al la amplifila cirkvito. Pro la alta eniga impedanco de la MOSFET-amplifilo, la kapacitanco de la kuplado povas esti pli malgranda kaj elektrolizaj kondensiloj ne povas esti uzataj.

Alta eniga impedanco taŭgas por impedanca konvertiĝo. Ĝi ofte estas uzita por impedanckonverto en la enirstadio de plurstadiaj amplifiloj.

3、 Ĝi povas esti uzata kiel ŝanĝiĝema rezistilo.

4, povas esti uzata kiel elektronika ŝaltilo.

MOSFEToj nun estas uzitaj en larĝa gamo de aplikoj, inkluzive de altfrekvencaj kapoj en televidoj kaj ŝanĝantaj elektroprovizoj. Nuntempe, dupolusaj ordinaraj transistoroj kaj MOS estas kunmetitaj por formi IGBT (izolita pordega bipolusa transistoro), kiu estas vaste uzata en alt-potencaj lokoj, kaj MOS-integraj cirkvitoj havas la karakterizaĵon de malalta konsumo, kaj nun CPUoj estis vaste uzataj en MOS-cirkvitoj.