Estas multaj varioj deMOSFEToj, ĉefe dividita en krucvojo MOSFET kaj izolita pordego MOSFET du kategorioj, kaj ĉiuj havas N-kanalo kaj P-kanalo punktoj.
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, referita kiel MOSFET, estas dividita en malplenigan tipon MOSFET kaj plibonigan tipon MOSFET.
MOSFEToj ankaŭ estas dividitaj en unu-pordegajn kaj du-pordegajn tubojn. Duobla-pordega MOSFET havas du sendependajn pordegojn G1 kaj G2, de la konstruado de la ekvivalento de du unu-pordegaj MOSFET-oj konektitaj en serio, kaj ĝia eligo-kurento ŝanĝiĝas per la du pordega tensiokontrolo. Ĉi tiu karakterizaĵo de du-pordegaj MOSFEToj alportas grandan oportunon kiam uzataj kiel altfrekvencaj amplifiloj, gajnokontrolamplifiloj, miksiloj kaj demoduliloj.
1, MOSFETtipo kaj strukturo
MOSFET estas speco de FET (alia speco estas JFET), povas esti fabrikita en plifortigita aŭ malpleniga tipo, P-kanalo aŭ N-kanalo entute de kvar tipoj, sed la teoria apliko de nur plibonigita N-kanala MOSFET kaj plifortigita P- kanalo MOSFET, do kutime referita kiel NMOS, aŭ PMOS rilatas al ĉi tiuj du specoj. Pri kial ne uzi malplenigan tipon MOSFET-ojn, ne rekomendu la serĉon de la radika kaŭzo. Koncerne la du plibonigitajn MOSFETojn, la pli ofte uzata estas NMOS, la kialo estas, ke la surrezisto estas malgranda kaj facile fabrikebla. Do ŝanĝante elektroprovizon kaj motorajn veturadaplikojn, ĝenerale uzu NMOS. la sekva citaĵo, sed ankaŭ pli NMOS-bazita. tri pingloj de la MOSFET-parazita kapacitanco ekzistas inter la tri pingloj, kio ne estas niaj bezonoj, sed pro produktadprocezaj limigoj. La ekzisto de parazita kapacitanco en la dezajno aŭ elekto de la disko cirkvito ŝpari iom da tempo, sed ne estas maniero eviti, kaj tiam detala enkonduko. En la MOSFET-skema diagramo povas esti vidita, la drenilo kaj fonto inter parazita diodo. Ĉi tio estas nomita la korpa diodo, en veturado de raciaj ŝarĝoj, ĉi tiu diodo estas tre grava. Cetere, la korpdiodo nur ekzistas en ununura MOSFET, kutime ne ene de la integra cirkvito-peceto.
2, MOSFET-konduktaj trajtoj
La signifo de kondukado estas kiel ŝaltilo, ekvivalenta al ŝaltilo fermo.NMOS-karakterizaĵoj, Vgs pli granda ol certa valoro kondukos, taŭga por uzo en la kazo kiam la fonto estas surgrundigita (malalta gamo stirado), nur la pordego tensio alvenas. ĉe 4V aŭ 10V.PMOS-karakterizaĵoj, Vgs malpli ol certa valoro kondukos, taŭga por uzo en la kazo kiam la fonto estas konektita al la VCC (alta gamo).
Tamen, kompreneble, PMOS povas esti tre facile uzebla kiel altnivela ŝoforo, sed pro la surrezista, multekosta, malpli specoj de interŝanĝoj kaj aliaj kialoj, en la altnivela ŝoforo, kutime ankoraŭ uzas NMOS.
3, MOSFETŝanĝanta perdo
Ĉu ĝi estas NMOS aŭ PMOS, post kiam la sur-rezisto ekzistas, tiel ke la kurento konsumos energion en ĉi tiu rezisto, ĉi tiu parto de la energio konsumita estas nomita la sur-rezista perdo. Elekti MOSFET kun malgranda sur-rezisto reduktos la sur-rezistan perdon. La kutima malalta potenco MOSFET sur-rezisto estas kutime en la dekoj de miliohmoj, kelkaj miliohmoj tie. MOS en la ĝusta tempo kaj fortranĉo, ne devas esti en la tuja kompletigo de la tensio trans la MOS estas procezo de fali, la fluo fluanta tra procezo de altiĝo, dum ĉi tiu tempo, la perdo de la MOSFET estas la produkto de la tensio kaj fluo estas nomita la ŝanĝperdo. Kutime la ŝanĝperdo estas multe pli granda ol la kondukperdo, kaj ju pli rapida la ŝanĝfrekvenco, des pli granda la perdo. Granda produkto de tensio kaj kurento en la momento de kondukado konsistigas grandan perdon. Mallongigi la ŝanĝan tempon reduktas la perdon ĉe ĉiu kondukado; redukti la ŝanĝfrekvencon reduktas la nombron da ŝaltiloj per unuotempo. Ambaŭ aliroj povas redukti la ŝanĝperdon.
4, MOSFET stirado
Kompare kun dupolusaj transistoroj, estas ofte supozite ke neniu kurento estas postulata por fari la MOSFET-kondukon, nur ke la GS-tensio estas super certa valoro. Ĉi tio estas facile fari, tamen ni ankaŭ bezonas rapidecon. En la strukturo de la MOSFET vi povas vidi ke ekzistas parazita kapacitanco inter GS, GD, kaj la veturado de la MOSFET estas, en teorio, la ŝargado kaj malŝarĝo de la kapacitanco. Ŝarĝi la kondensilon postulas fluon, kaj ĉar ŝargi la kondensilon tuj povas esti rigardita kiel fuŝkontakto, la tuja fluo estos alta. Elekto/dezajno de MOSFET-veturado la unua afero atentinda estas la grandeco de la tuja kurta kurento kurento povas esti provizita. La dua afero por atenti estas ke, ĝenerale uzata en altnivela stirado NMOS, laŭ postulo estas la pordega tensio estas pli granda ol la fonta tensio. High-end drive MOS tubo kondukto fonto tensio kaj drenilo tensio (VCC) la sama, do la pordego tensio ol la VCC 4V aŭ 10V. supozante, ke en la sama sistemo, por ricevi pli grandan tension ol la VCC, ni bezonas specialan akcelon. Multaj motoraj ŝoforoj estas integraj ŝargpumpilo, por atenti, devas elekti la taŭgan eksteran kondensilon, por akiri sufiĉe da kurta kurento por stiri la MOSFET. 4V aŭ 10V diris supre estas komune uzata MOSFET sur tensio, la dezajno kompreneble, la bezono havi certan rando. Ju pli alta la tensio, des pli rapida la surŝtata rapido kaj des pli malalta la surŝtata rezisto. Kutime estas ankaŭ pli malgrandaj surŝtata tensio MOSFET-oj uzataj en malsamaj kategorioj, sed en 12V aŭtomobilaj elektronikaj sistemoj sufiĉas ordinara 4V surŝtato.
La ĉefaj parametroj de la MOSFET estas kiel sekvas:
1. pordego fonto breakdown tensio BVGS - en la procezo de pliigi la pordego fonto tensio, tiel ke la pordego fluo IG de nulo komenci akran kreskon en VGS, konata kiel la pordego fonto breakdown tensio BVGS.
2. turno-sur tensio VT - turno-sur tensio (ankaŭ konata kiel la sojla tensio): fari la fonto S kaj drenilo D inter la komenco de la konduktiva kanalo konsistigas la pordego tensio bezonata; - normigita N-kanala MOSFET, VT estas ĉirkaŭ 3 ~ 6V; - post la procezo de plibonigo, povas fari la MOSFET VT valoro malsupren al 2 ~ 3V.
3. Malplenigo de tensio BVDS - sub la kondiĉo de VGS = 0 (plifortigita) , en la procezo de pliigo de la tensio de drenilo tiel ke la ID komencas pliigi draste kiam la VDS estas nomita la drenilo de tensio BVDS - ID draste pliiĝis pro la sekvaj du aspektoj:
(1) lavango rompo de la malpleniga tavolo proksime de la drenilelektrodo
(2) drenilo-fonto inter-poluso penetrado rompo - iu malgranda tensio MOSFET, ĝia kanalo longo estas mallonga, de tempo al tempo por pliigi la VDS faros la drenilo regiono de la malplenigo tavolo de tempo al tempo ekspansiiĝi al la fontregiono , tiel ke la kanallongo de nulo, tio estas, inter la drenilo-fonta penetrado, penetrado, la fontregiono de la plimulto de portantoj, la fontregiono, estos rekte por rezisti la malplenigtavolo de la sorbado de la elektra kampo, alveni al la elflua regiono, rezultigante grandan identigilon.
4. DC enigo rezisto RGS-te, la rilatumo de la tensio aldonita inter la pordego fonto kaj la pordego fluo, ĉi tiu karakterizaĵo estas foje esprimita en terminoj de la pordego fluo fluanta tra la pordego MOSFET la RGS povas facile superi 1010Ω. 5.
5. malaltfrekvenca transkonduktaĵo gm en la VDS por fiksa valoro de la kondiĉoj, la mikrovarianco de la drenilfluo kaj la pordego fonta tensio mikrovarianco kaŭzita de ĉi tiu ŝanĝo nomiĝas la transkondukta gm, reflektante la kontrolon de la pordego fonto tensio sur la drenilo fluo estas montri ke la MOSFET plifortigo de grava parametro, ĝenerale en la gamo de kelkaj al kelkaj mA / V. La MOSFET povas facile superi 1010Ω.
Afiŝtempo: majo-14-2024
