Kiam vi desegnas ŝanĝantan nutradon aŭ motoran veturadon cirkviton uzanteMOSFEToj, faktoroj kiel la sur-rezisto, maksimuma tensio, kaj maksimuma fluo de la MOS estas ĝenerale konsideritaj.
MOSFET-tuboj estas speco de FET kiu povas esti fabrikita kiel aŭ plibonigo aŭ malplenigo-speco, P-kanalo aŭ N-kanalo por totalo de 4 tipoj. plibonigaj NMOSFET-oj kaj plibonigaj PMOSFET-oj estas ĝenerale uzataj, kaj ĉi tiuj du estas kutime menciitaj.
Ĉi tiuj du estas pli ofte uzataj estas NMOS. la kialo estas, ke la kondukta rezisto estas malgranda kaj facile fabrikebla. Tial, NMOS estas kutime uzata en ŝanĝado de elektroprovizo kaj motoro-veturadaplikoj.
Ene de la MOSFET, tiristoro estas metita inter la drenilo kaj la fonto, kio estas gravega en veturado de induktaj ŝarĝoj kiel ekzemple motoroj, kaj ĉeestas nur en ununura MOSFET, ne kutime en integra cirkvito-peceto.
Parazita kapacitanco ekzistas inter la tri pingloj de la MOSFET, ne ke ni bezonas ĝin, sed pro limigoj de la produktada procezo. La ĉeesto de parazita kapacitanco igas ĝin pli maloportuna dum dizajnado aŭ elektado de ŝoforcirkvito, sed ĝi ne povas esti evitita.
La ĉefaj parametroj deMOSFET
1, malferma tensio VT
Malferma tensio (ankaŭ konata kiel la sojla tensio): tiel ke la pordega tensio necesa por komenci formi konduktan kanalon inter la fonto S kaj drenilo D; norma N-kanala MOSFET, VT estas ĉirkaŭ 3 ~ 6V; tra procezaj plibonigoj, la MOSFET VT-valoro povas esti reduktita al 2 ~ 3V.
2, DC eniga rezisto RGS
La rilatumo de la tensio aldonita inter la pordega fontpoluso kaj la pordega fluo Ĉi tiu karakterizaĵo foje estas esprimita per la pordega fluo fluanta tra la pordego, la RGS de la MOSFET povas facile superi 1010Ω.
3. Drenu fonto-rompo BVDS-tensio.
Sub la kondiĉo de VGS = 0 (plifortigita), en la procezo de pliigo de la dren-fonta tensio, ID pliiĝas akre kiam la VDS estas nomita la drenil-fonta paneotensio BVDS, ID pliiĝas akre pro du kialoj: (1) lavango rompo de la malpleniga tavolo proksime de la drenilo, (2) penetrorompo inter la drenilo kaj fontpolusoj, kelkaj MOSFEToj, kiuj havas pli mallongan tranĉeolongon, pliigas la VDS tiel ke la drentavolo en la drenregiono estas vastigita al la fontregiono, farante la Kanalo longo estas nulo, tio estas, produkti drenilo-fonto penetrado, penetrado, la plej multaj el la portantoj en la fonto regiono estos rekte altiritaj de la elektra kampo de la malplenigo tavolo al la drenilo regiono, rezultanta en granda ID. .
4, pordego fonto paneo tensio BVGS
Kiam la pordegtensio estas pliigita, la VGS kiam la IG estas pliigita de nul estas nomita la pordegfonta paneotensio BVGS.
5、Malaltfrekvenca transkonduktanco
Kiam VDS estas fiksa valoro, la rilatumo de la mikrovariado de la drenilfluo al la mikrovariado de la pordega fonttensio kiu kaŭzas la ŝanĝon estas nomita transkonduktanco, kiu reflektas la kapablon de la pordegfontensio kontroli la drenfluon, kaj estas grava parametro, kiu karakterizas la plifortigan kapablon de laMOSFET.
6, sur-rezisto RON
Sur-rezisto RON montras la efikon de VDS sur ID, estas la inverso de la deklivo de la tanĝanta linio de la drenaj trajtoj en certa punkto, en la saturiĝa regiono, ID preskaŭ ne ŝanĝiĝas kun la VDS, RON estas tre granda. valoro, ĝenerale en la dekoj da kilo-Ohmoj ĝis centoj da kilo-Ohmoj, ĉar en ciferecaj cirkvitoj, MOSFEToj ofte funkcias en la stato de la konduktiva VDS = 0, do ĉe ĉi tiu punkto, la sur-rezisto RON povas esti proksimumata per la origino de la RON por proksimigi, por ĝenerala MOSFET, RON-valoron ene de kelkaj cent omoj.
7, inter-polusa kapacitanco
Interpolusa kapacitanco ekzistas inter la tri elektrodoj: pordego fontkapacitanco CGS, pordego drenilkapacitanco CGD kaj drenfontan kapacitanco CDS-CGS kaj CGD estas proksimume 1 ~ 3pF, CDS estas proksimume 0,1 ~ 1pF.
8、Malaltfrekvenca brufaktoro
Bruo estas kaŭzita de malregulaĵoj en la movado de portantoj en la dukto. Pro ĝia ĉeesto, neregula tensio aŭ nunaj varioj okazas ĉe la produktaĵo eĉ se ekzistas neniu signalo liverita per la amplifilo. Bruefikeco estas kutime esprimita laŭ la brufaktoro NF. La unuo estas decibelo (dB). Ju pli malgranda la valoro, des malpli da bruo produktas la tubo. La malaltfrekvenca brufaktoro estas la brufaktoro mezurita en la malaltfrekvenca gamo. La brufaktoro de kampefika tubo estas proksimume kelkaj dB, malpli ol tiu de dupolusa triodo.
Afiŝtempo: Apr-24-2024
