Kompreni la funkciajn principojn de MOSFEToj (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistoroj) estas decida por efike utiligado de tiuj alt-efikecaj elektronikaj komponentoj. MOSFEToj estas nemalhaveblaj elementoj en elektronikaj aparatoj, kaj kompreni ilin estas esenca por produktantoj.
En praktiko, ekzistas produktantoj kiuj eble ne plene aprezas la specifajn funkciojn de MOSFEToj dum sia apliko. Tamen, ekkomprenante la funkciajn principojn de MOSFET-oj en elektronikaj aparatoj kaj iliajn respondajn rolojn, oni povas strategie elekti la plej taŭgan MOSFET, konsiderante ĝiajn unikajn trajtojn kaj la specifajn trajtojn de la produkto. Ĉi tiu metodo plibonigas la agadon de la produkto, plifortigante ĝian konkurencivon en la merkato.
WINSOK SOT-23-3-pakaĵo MOSFET
MOSFET Laboraj Principoj
Kiam la pordeg-fonta tensio (VGS) de la MOSFET estas nul, eĉ kun la apliko de drenil-fonta tensio (VDS), ekzistas ĉiam PN-krucvojo en inversa biaso, rezultigante neniun konduktan kanalon (kaj neniun fluon) inter la drenilo kaj fonto de la MOSFET. En tiu stato, la drenfluo (ID) de la MOSFET estas nul. Apliki pozitivan tension inter la pordego kaj fonto (VGS> 0) kreas kampon en la SiO2 izola tavolo inter la pordego de la MOSFET kaj la silicisubstrato, direktita de la pordego direkte al la P-speca silicisubstrato. Surbaze de ke la oksidtavolo estas izola, la tensio aplikita al la pordego, VGS, ne povas generi fluon en la MOSFET. Anstataŭe, ĝi formas kondensilon trans la oksidtavolo.
Ĉar VGS iom post iom pliiĝas, la kondensilo ŝargas supren, kreante elektran kampon. Altirite per la pozitiva tensio ĉe la pordego, multaj elektronoj akumuliĝas sur la alia flanko de la kondensilo, formante N-tipan konduktan kanalon de la drenilo ĝis la fonto en la MOSFET. Kiam VGS superas la sojlan tensio VT (tipe ĉirkaŭ 2V), la N-kanalo de la MOSFET kondukas, komencante la fluon de drenila fluo ID. La pordeg-fonta tensio ĉe kiu la kanalo komencas formiĝi estas referita kiel la sojla tensio VT. Kontrolante la grandecon de VGS, kaj sekve la kampon, la grandeco de la drenila fluo ID en la MOSFET povas esti modulita.
WINSOK DFN5x6-8-pakaĵo MOSFET
MOSFET-Aplikoj
La MOSFET estas fama pro siaj bonegaj ŝanĝaj karakterizaĵoj, kondukante al sia ampleksa apliko en cirkvitoj postulantaj elektronikajn ŝaltilojn, kiel ŝalti-reĝimajn elektroprovizojn. En malalttensiaj aplikoj uzantaj 5V elektroprovizon, la uzo de tradiciaj strukturoj rezultigas tensiofalon trans la baz-elsendilo de dupoluskructransistoro (ĉirkaŭ 0.7V), lasante nur 4.3V por la fina tensio aplikita al la pordego de la MOSFET. En tiaj scenaroj, elekti MOSFET kun nominala pordega tensio de 4.5V enkondukas certajn riskojn. Ĉi tiu defio ankaŭ manifestiĝas en aplikoj implikantaj 3V aŭ aliajn malalttensiajn elektroprovizojn.
Afiŝtempo: Oct-27-2023
