Estas du ĉefaj solvoj:
Unu estas uzi diligentan ŝoforpeceton por movi la MOSFET, aŭ la uzon de rapidaj fotokupliloj, transistoroj konsistigas cirkviton por movi la MOSFET, sed la unua speco de aliro postulas la provizon de sendependa elektroprovizo; la alia tipo de pulso-transformilo por stiri la MOSFET, kaj en la pulso-veturadcirkvito, kiel plibonigi la ŝanĝfrekvencon de la veturadcirkvito por pliigi la veturkapaciton, laŭeble, por redukti la nombron da komponantoj, estas la urĝa bezono. por solvi laaktualaj Problemoj.
La unua speco de veturadskemo, duon-ponto postulas du sendependajn elektroprovizojn; plena-ponto postulas tri sendependajn elektroprovizojn, ambaŭ duonponton kaj plenponton, tro multajn komponantojn, ne favorajn al kostoredukto.
La dua speco de veturadprogramo, kaj la patento estas la plej proksima antaŭa arto por la inventa nomo "alta potencoMOSFET veturado cirkvito" patento (aplikaĵo numero 200720309534. 8), la patento nur aldoni malŝarĝo rezisto liberigi la pordego fonto de alta potenco MOSFET ŝargo, por atingi la celon de fermo, la falanta rando de la PWM signalo estas granda. La falanta rando de la PWM-signalo estas granda, kio kondukos al malrapida haltigo de la MOSFET, potenco perdo estas tre granda;
Krome, la patenta programo MOSFET-laboro estas susceptible al interfero, kaj la PWM-kontrola blato devas havi grandan eligan potencon, igante la blaton temperaturon altan, influante la servodaŭron de la blato. Enhavo de la invento La celo de ĉi tiu utila modelo estas provizi alt-potencan MOSFET-veturadcirkviton, labori pli stabilan kaj nulon por atingi la celon de ĉi tiu utileca modelo inventa teknika solvo - alt-potenca MOSFET-veturadcirkvito, la signala eligo de la PWM-kontrolblato estas konektita al la primara pulstransformilo, la unua eligo of la sekundara pulstransformilo estas konektita al la unua MOSFET-pordego, la dua eligo de la sekundara pulstransformilo estas konektita al la unua MOSFET-pordego, la dua eligo de la sekundara pulstransformilo estas konektita al la unua MOSFET-pordego. La unua eligo de la pulstransformilo malĉefa estas konektita al la pordego de la unua MOSFET, la dua eligo de la pulstransformilo malĉefa estas konektita al la pordego de la dua MOSFET, karakterizita ke la unua eligo de la pulsotransformilo malĉefa estas ankaŭ konektita. al la unua malŝarĝa transistoro, kaj la dua eligo de la pulso transformilo malĉefa ankaŭ estas konektita al la dua malŝarĝo transistoro. La primara flanko de la pulstransformilo ankaŭ estas ligita al energistokado kaj liberiga cirkvito.
La energi-stokado-eldoncirkvito inkluzivas rezistilon, kondensilon kaj diodon, la rezistilo kaj la kondensilo estas paralele konektitaj, kaj la menciita paralela cirkvito estas konektita en serio kun la diodo. La utilmodelo havas utilan efikon La utilmodelo ankaŭ havas unuan malŝarĝan transistoron ligitan al la unua eligo de la transformilo sekundara, kaj duan malŝarĝan transistoron ligitan al la dua eligo de la pulstransformilo, tiel ke kiam la pulstransformilo eligas malaltan nivelo, la unua MOSFET kaj la dua MOSFET povas esti rapide eligitaj por plibonigi la malŝaltan rapidon de la MOSFET, kaj por redukti la MOSFET-perdon. La signalo de la PWM-kontrolblato estas konektita al la signala amplifiga MOSFET inter la primara eligo kaj la pulso. transformilo primara, kiu povas esti uzata por signala plifortigo. La signala eligo de la PWM-kontrolblato kaj la primara pulstransformilo estas konektitaj al MOSFET por signala plifortigo, kiu povas plu plibonigi la veturkapablon de la PWM-signalo.
La primara pulstransformilo ankaŭ estas konektita al energi-stokado-eldoncirkvito, kiam la PWM-signalo estas ĉe malalta nivelo, la energi-stokado-eldoncirkvito liberigas la stokitan energion en la pulstransformilo kiam la PWM estas ĉe alta nivelo, certigante ke la pordego. fonto de la unua MOSFET kaj la dua MOSFET estas ekstreme malalta, kiu ludas rolon en malhelpado de interfero.
En specifa efektivigo, malalt-potenca MOSFET Q1 por signala plifortigo estas konektita inter la signala eliga terminalo A de la PWM-kontrolblato kaj la primara de la pulstransformilo Tl, la unua eligoterminalo de la malĉefa de la pulstransformilo estas konektita al la pordego de la unua MOSFET Q4 per la diodo D1 kaj la veturanta rezistilo Rl, la dua eliga terminalo de la malĉefa de la pulstransformilo estas konektita al la pordego de la dua MOSFET Q5 per la diodo D2 kaj la veturanta rezistilo R2, kaj la unua eligo fina stacio de la malĉefa de la pulso transformilo estas ankaŭ konektita al la unua drenilo triodo Q2, kaj la dua drenilo triodo Q3 estas ankaŭ konektita al la dua drenilo triodo Q3. MOSFET Q5, la unua eliga fina stacio de la pulsotransformilo sekundara ankaŭ estas konektita al unua dreniltransistoro Q2, kaj la dua eligoterminalo de la pulsotransformilo sekundara ankaŭ estas konektita al dua dreniltransistoro Q3.
La pordego de la unua MOSFET Q4 estas ligita al drenrezistilo R3, kaj la pordego de la dua MOSFET Q5 estas ligita al drenrezistilo R4. la primara de la pulstransformilo Tl ankaŭ estas konektita al energistokado kaj liberiga cirkvito, kaj la energistokado kaj liberiga cirkvito inkluzivas rezistilon R5, kondensilon Cl, kaj diodon D3, kaj la rezistilo R5 kaj la kondensilo Cl estas konektitaj en paralela, kaj la menciita paralela cirkvito estas ligita en serio kun la diodo D3. la PWM-signala eligo de la PWM-kontrolblato estas konektita al la malalt-potenca MOSFET Q2, kaj la malalt-potenca MOSFET Q2 estas konektita al la malĉefa de la pulstransformilo. estas plifortigita per la malalt-motora MOSFET Ql kaj eligo al la primara de la pulstransformilo Tl. Kiam la PWM-signalo estas alta, la unua eligo-terminalo kaj la dua eligo-terminalo de la malĉefa de la pulso-transformilo Tl eligas altnivelajn signalojn por movi la unuan MOSFET Q4 kaj la duan MOSFET Q5 por konduki.
Kiam la PWM-signalo estas malalta, la unua eligo kaj la dua eligo de la pulso transformilo Tl malĉefa eligo malalta nivelo signaloj, la unua drenilo transistoro Q2 kaj la dua drenilo transistoro Q3 alkonduko, la unua MOSFETQ4 pordego fonto kapacitanco tra la drenilo rezistilo R3, la unua drenilo transistoro Q2 por malŝarĝo, la dua MOSFETQ5 pordego fonto kapacitanco tra la drenilo rezistilo R4, la dua drenilo transistoro Q3 por malŝarĝo, la dua MOSFETQ5 pordego fonto kapacitanco tra la drenilo rezistilo R4, la dua drenilo transistoro Q3 por malŝarĝo, la dua MOSFETQ5 pordego fonto kapacitanco tra la drenilo rezistilo R4, la dua drenilo transistoro Q3 por malŝarĝo. La dua MOSFETQ5-pordega fontkapacitanco estas eligita tra la drenrezistilo R4 kaj la dua dreniltransistoro Q3, tiel ke la unua MOSFET Q4 kaj la dua MOSFET Q5 povas esti malŝaltitaj pli rapide kaj la potencoperdo povas esti reduktita.
Kiam la PWM-signalo estas malalta, la stokita energiliberiga cirkvito kunmetita de rezistilo R5, kondensilo Cl kaj diodo D3 liberigas la stokitan energion en la pulstransformilo kiam la PWM estas alta, certigante ke la pordegofonto de la unua MOSFET Q4 kaj la dua MOSFET Q5 estas ekstreme malalta, kio servas la celon de kontraŭ-enmiksiĝo. Diodo Dl kaj diodo D2 kondukas la eligan fluon unudirekte, tiel certigante la kvaliton de la PWM-ondformo, kaj samtempe, ĝi ankaŭ ludas la rolon de kontraŭ-enmiksiĝo certagrade.
Afiŝtempo: Aŭg-02-2024
