Antaŭ ĉio, la MOSFET-tipo kaj strukturo, MOSFET estas FET (alia estas JFET), povas esti fabrikita en plibonigita aŭ malpleniga tipo, P-kanalo aŭ N-kanalo entute kvar tipoj, sed la reala apliko de nur plibonigita N -channel MOSFET-oj kaj plifortigitaj P-kanalaj MOSFET-oj, do kutime referitaj kiel la NMOSFET, aŭ PMOSFET rilatas al la Do kutime menciita NMOSFET, aŭ PMOSFET rilatas al ĉi tiuj du specoj. Por ĉi tiuj du specoj de plifortigitaj MOSFEToj, NMOSFEToj estas pli ofte uzataj pro sia malalta surrezisto kaj facileco de fabrikado. Tial, NMOSFET-oj estas ĝenerale uzitaj en ŝanĝado de elektroprovizo kaj motorveturad-aplikoj, kaj la sekva enkonduko ankaŭ temigas NMOSFETojn. parazita kapacitanco ekzistas inter la tri pingloj de laMOSFET, kiu ne estas bezonata, sed prefere pro la limigoj de la produktada procezo. La ĉeesto de parazita kapacitanco faras ĝin iom malfacila desegni aŭ elekti ŝoforcirkviton. Estas parazita diodo inter la drenilo kaj la fonto. Tio estas nomita la korpodiodo kaj estas grava en veturado de induktaj ŝarĝoj kiel ekzemple motoroj. Cetere, la korpdiodo ĉeestas nur en individuaj MOSFEToj kaj kutime ne ĉeestas ene de IC-peceto.
Nun laMOSFETstiri malalta tensio aplikoj, kiam la uzo de 5V nutrado, ĉi-foje se vi uzas la tradician totemo poluso strukturo, pro la transistoro esti ĉirkaŭ 0.7V tensio falo, rezultanta en la reala fino aldonita al la pordego sur la tensio estas nur 4.3 V. En ĉi tiu tempo, ni elektas la nominalan pordegan tension de 4.5V de la MOSFET pri la ekzisto de certaj riskoj. La sama problemo okazas en la uzo de 3V aŭ aliaj malalttensiaj nutrado okazoj. Duobla tensio estas uzita en kelkaj kontrolcirkvitoj kie la logika sekcio uzas tipan 5V aŭ 3.3V ciferecan tension kaj la potenca sekcio uzas 12V aŭ eĉ pli alte. La du tensioj estas konektitaj uzante komunan grundon. Ĉi tio metas postulon uzi cirkviton, kiu permesas al la malalttensia flanko efike kontroli la MOSFET sur la alttensia flanko, dum la MOSFET sur la alttensia flanko alfrontos la samajn problemojn menciitajn en 1 kaj 2.
En ĉiuj tri kazoj, la totempolstrukturo ne povas renkonti la produktaĵpostulojn, kaj multaj nekomercaj MOSFET-ŝoforaj IC-oj ne ŝajnas inkludi pordegan tension limigan strukturon. La eniga tensio ne estas fiksa valoro, ĝi varias laŭ tempo aŭ aliaj faktoroj. Tiu vario igas la veturtension disponigitan al la MOSFET per la PWM-cirkvito esti malstabila. Por igi la MOSFET sekura de altaj pordegtensioj, multaj MOSFEToj havas enkonstruitajn tensioreguligistojn por forte limigi la amplitudon de la pordegtensio. En ĉi tiu kazo, kiam la tensio de stirado provizis pli ol la tensio-reguligilo, ĝi kaŭzos samtempe grandan senmovan elektran konsumon, se vi simple uzas la principon de rezistila tensiodividilo por redukti la pordegan tension, estos relative alta. eniga tensio, laMOSFETfunkcias bone, dum la eniga tensio estas reduktita kiam la pordega tensio estas nesufiĉa por kaŭzi malpli ol kompletan kondukadon, tiel pliigante energikonsumon.
Relative ofta cirkvito ĉi tie nur por la NMOSFET-ŝoforcirkvito fari simplan analizon: Vl kaj Vh estas la malalta kaj altnivela nutrado, la du tensioj povas esti la samaj, sed Vl ne devus superi la Vh. Q1 kaj Q2 formas renversitan toteman poluson, uzatan por realigi la izolitecon, kaj samtempe por certigi, ke la du ŝofortuboj Q3 kaj Q4 ne estos samtempa kondukado. R2 kaj R3 provizas PWM-tension R2 kaj R3 provizas la PWM-tensio-referencon, ŝanĝante ĉi tiun referencon, vi povas lasi la cirkviton funkcii en la PWM-signala ondoformo estas relative kruta kaj rekta pozicio. Q3 kaj Q4 estas uzataj por provizi la veturadfluon, pro la ĝustatempe, Q3 kaj Q4 relative al la Vh kaj GND estas nur minimumo de Vce tensiofalo, ĉi tiu tensiofalo estas kutime nur 0.3V aŭ tiel, multe pli malalta. ol 0.7V Vce R5 kaj R6 estas la reagorezistiloj, uzitaj por pordego R5 kaj R6 estas reagorezistiloj uzitaj por provi la pordegan tension, kiu tiam estas pasita tra Q5 por generi fortan negativan religon sur la bazoj de Q1 kaj Q2, tiel limigante. la pordega tensio al finhava valoro. Ĉi tiu valoro povas esti ĝustigita per R5 kaj R6. Finfine, R1 disponigas la limigon de la bazfluo al Q3 kaj Q4, kaj R4 disponigas la limigon de la pordegfluo al la MOSFEToj, kio estas la limigo de la Glacio de Q3Q4. Akcelkondensilo povas esti ligita en paralelo super R4 se necese.
Afiŝtempo: Apr-21-2024
