MOSFEToj (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ofte estas konsideritaj kiel plene kontrolitaj aparatoj. Tio estas ĉar la funkciiga stato (sur aŭ for) de la MOSFET estas tute kontrolita per la pordegtensio (Vgs) kaj ne dependas de la bazfluo kiel en la kazo de dupolusa transistoro (BJT).
En MOSFET, la pordega tensio Vgs determinas ĉu kondukanta kanalo estas formita inter la fonto kaj drenilo, same kiel la larĝon kaj konduktivecon de la kondukanta kanalo. Kiam Vgs superas la sojlan tension Vt, la kondukanta kanalo estas formita kaj la MOSFET eniras la sur-ŝtaton; kiam Vgs falas sub Vt, la kondukanta kanalo malaperas kaj la MOSFET estas en la detranĉa stato. Ĉi tiu kontrolo estas plene kontrolita ĉar la pordega tensio povas sendepende kaj precize kontroli la funkcian staton de la MOSFET sen fidi aliajn kurentajn aŭ tensiajn parametrojn.
Kontraste, la funkcia stato de duonregataj aparatoj (ekz., tiristoroj) estas ne nur tuŝita de la kontroltensio aŭ kurento, sed ankaŭ de aliaj faktoroj (ekz., anoda tensio, kurento, ktp.). Kiel rezulto, plene kontrolitaj aparatoj (ekz., MOSFEToj) kutime ofertas pli bonan efikecon laŭ kontrolprecizeco kaj fleksebleco.
En resumo, MOSFET-oj estas plene kontrolitaj aparatoj, kies funkcia stato estas tute kontrolita de la pordega tensio, kaj havas la avantaĝojn de alta precizeco, alta fleksebleco kaj malalta energikonsumo.
Afiŝtempo: Sep-20-2024
