En la elektra ŝaltilo kaj alia elektra provsistemo desegna programo, programprojektistoj pli atentos kelkajn gravajn parametrojn de laMOSFET, kiel sur-malŝaltita rezistilo, pli granda funkciiga tensio, pli granda potencofluo. Kvankam ĉi tiu elemento estaskritika, konsiderante la netaŭgan lokon faros la nutrado cirkvito ne povas funkcii ĝuste, sed fakte, ĉi tio estas nur kompletigita la unua paŝo,la MOSFET-oj propraj parazitaj parametroj estas konsiderata la grava afero por endanĝerigi la elektroprovizocirkviton.
Tuja veturado de MOSFEToj kun elektroprovizo ICoj
Bona MOSFET-ŝoforcirkvito havas la sekvajn provizaĵojn:
(1) En la momento, kiam la ŝaltilo estas ebligita, la ŝofora cirkvito devus povi eligi tre grandan kurenton, tiel ke la MOSFET-pordego-fonta interpolusa funkcia tensio rapide altiĝas al la bezonata valoro, por certigi, ke la ŝaltilo povas esti turnita. sur rapide kaj ne estos altfrekvencaj osciladoj sur la levrando.
(2) ŝaltilo kaj malŝalto periodo, la veturado cirkvito povas certigi ke la MOSFET pordego fonto inter-polusa mastruma tensio estas konservita dum longa tempo, kaj efika kondukado.
(3) Fermu momenton de la veturado-cirkvito, povas provizi malaltan impedancan kanalon por la MOSFET-pordego-fonto-kapacita mastruma tensio inter la rapida drenilo, por certigi, ke la ŝaltilo povas esti rapide malŝaltita.
(4) Simpla kaj fidinda konstruado de veturaj cirkvitoj kun malalta eluziĝo.
(5) Laŭ la specifa situacio efektivigi protekton.
En la kontrolmodulo nutrado, la plej ofta estas la nutrado IC rekte veturas MOSFET. apliko, devus atenti la pli granda stirado la plej alta valoro de potenco fluo, MOSFET dissendo kapacitanco 2 ĉefaj parametroj. Potenca IC-veturadkapablo, MOS-distribua kapacitangrandeco, veturrezista rezistvaloro endanĝerigos la MOSFET-potencan ŝanĝan indicon. Se la elekto de MOSFET distribua kapacitanco estas relative granda, la nutrado IC interna stirado kapablo ne sufiĉas, devas esti en la veturado cirkvito por plibonigi la veturado kapablo, ofte apliki la toteman poluso nutrado cirkvito por plibonigi la nutrado IC stirado kapablo. .
Afiŝtempo: Jul-25-2024
