PotencoMOSFET is een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" is de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" akorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materiaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de function van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens het word in okanaverde. N-kanaal type eo P-kanaal type.
Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) is ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en la stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter voor voldoende gate drive.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-oj parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in series schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS(ON), in het hele process van MOSFET selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parameters zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET velig kan werken.
Por ĉi-supraj specoj de ŝarĝkondiĉoj, post taksado (aŭ mezurado) de la pli granda funkciada tensio, kaj poste lasante marĝenon de 20% ĝis 30%, vi povas specifi la necesan taksitan nunan VDS-valoron de la MOSFET. Ĉi tie devas diri estas, ke, por pli bona kosto kaj pli glataj karakterizaĵoj, povas elekti en la AC nuna serio nunaj diodoj kaj induktoroj en la fermo de la komponado de la nuna kontrolo buklo, liberigi el la indukta nuna kinetika energio por konservi la MOSFET. taksita kurento estas klara, la fluo povas esti deduktita. Sed ĉi tie devas konsideri du parametrojn: unu estas la valoro de la fluo en kontinua funkciado kaj la plej alta valoro de la sola pulso nuna spiko (Spike kaj Surge), ĉi tiuj du parametroj por decidi kiom vi devus elekti la taksita valoro de la aktuala valoro.
Afiŝtempo: majo-28-2024
