N-tipo, P-tipo MOSFET funkcianta principo de la esenco estas la sama, MOSFET estas ĉefe aldonita al la eniga flanko de la pordego tensio por sukcese kontroli la eligo flanko de la drenilo fluo, MOSFET estas tensio-kontrolita aparato, tra la tensio aldonita. al la pordego por kontroli la karakterizaĵojn de la aparato, male al la triodo por fari ŝanĝan tempon pro la baza kurento kaŭzita de la ŝarga stokado-efiko, en ŝanĝado de aplikoj, MOSFET-a En ŝanĝado de aplikoj,MOSFET-oj ŝanĝrapideco estas pli rapida ol tiu de triodo.
En la ŝanĝa nutrado, ofte uzata MOSFET malferma drenilo cirkvito, la drenilo estas konektita al la ŝarĝo kiel estas, nomita malferma drenilo, malferma drenilo cirkvito, la ŝarĝo estas konektita al kiom alta la tensio, kapablas ŝalti, malŝalti la ŝarĝo kurento, estas la ideala analoga ŝaltilo aparato, kiu estas la principo de la MOSFET fari ŝalti aparatojn, la MOSFET fari ŝanĝado en la formo de pli da cirkvitoj.
Koncerne al ŝanĝado de elektroprovizo-aplikoj, ĉi tiu aplikaĵo postulas MOSFEToj por periode konduki, malŝalti, kiel DC-DC nutrado kutime uzata en la baza buck konvertilo dependas de du MOSFETs plenumi la ŝaltilo funkcio, ĉi tiuj ŝaltiloj alterne en la induktoro stoki energion, liberigi la energion al la ŝarĝo, ofte elektas centojn da kHz aŭ eĉ pli ol 1 MHz, ĉefe ĉar ju pli alta la frekvenco tiam, des pli malgrandaj estas la magnetaj komponantoj. Dum normala operacio, la MOSFET estas ekvivalenta al direktisto, ekzemple, alt-potencaj MOSFEToj, malgrand-tensiaj MOSFEToj, cirkvitoj, elektroprovizo estas la minimuma kondukta perdo de la MOS.
MOSFET PDF-parametroj, MOSFET-fabrikistoj sukcese adoptis la parametron RDS (ON) por difini la surŝtatan impedancon, por ŝanĝi aplikojn, RDS (ON) estas la plej grava aparato karakterizaĵo; datenfolioj difinas RDS (ON), la pordego (aŭ veturado) tensio VGS kaj fluo fluanta tra la ŝaltilo rilatas, por adekvata pordego-veturado, RDS (ON) estas relative statika parametro; MOSFEToj kiuj estis en konduktado estas emaj al varmogenerado, kaj malrapide kreskantaj krucvojtemperaturoj povas kaŭzi pliiĝon en RDS (ON);MOSFET datenfolioj precizigas la termikan impedanco-parametron, kiu estas difinita kiel la kapablo de la duonkonduktaĵo-krucvojo de la MOSFET-pakaĵo por disipi varmecon, kaj RθJC estas simple difinita kiel la krucvojo-al-kaza termika impedanco.
1, la ofteco estas tro alta, foje tro-persekuti la volumon, rekte kondukos al alta ofteco, MOSFET sur la perdo pliiĝas, des pli granda la varmego, ne faru bonan laboron de taŭga varmo disipado dezajno, alta fluo, la nominala aktuala valoro de la MOSFET, la bezono de bona varmo disipado por povi atingi; ID estas malpli ol la maksimuma fluo, povas esti serioza varmego, la bezono de adekvata helpa varmodisipiloj.
2, MOSFET-elekto-eraroj kaj eraroj en potenco-juĝo, MOSFET-interna rezisto ne estas plene konsiderata, rekte kondukos al pliigita ŝanĝa impedanco, kiam traktas MOSFET-hejtadproblemojn.
3, pro cirkvito-dezajno problemoj, rezultanta en varmego, tiel ke la MOSFET funkcias en lineara funkcia stato, ne en la ŝanĝa stato, kiu estas rekta kaŭzo de MOSFET-hejtado, ekzemple, N-MOS fari ŝanĝadon, la G- nivela tensio devas esti pli alta ol la nutrado je kelkaj V, por povi plene kondukti, la P-MOS estas malsama; en foresto de plene malfermita, la tensiofalo estas tro granda, kio rezultos en potenco konsumo, la ekvivalenta DC impedanco estas pli granda, la tensiofalo ankaŭ pliiĝos, U * Mi ankaŭ pliiĝos, la perdo kondukos al varmo.
Afiŝtempo: Aŭg-01-2024
