MOSFET Kontraŭ-Inversa Cirkvito

Unue, la baza principo de la MOSFET kontraŭ-inversa cirkvito

MOSFET kontraŭ-inversa cirkvito uzante la ŝanĝajn karakterizaĵojn de la MOSFET, per kontrolado de la pordega (G) tensio por realigi la cirkviton sur kaj for. Kiam la elektroprovizo poluseco estas ĝusta, la pordega tensio faras la MOSFET en la kondukta stato, la fluo povas flui normale; kiam la nutrado de nutrado estas inversigita, la pordega tensio ne povas fari la MOSFET-kondukadon, tiel fortranĉante la cirkviton.

Due, la specifa realigo de la MOSFET kontraŭ-inversa cirkvito

1. N-kanalo MOSFET kontraŭ-reversa cirkvito

N-kanalaj MOSFEToj kutimas kutime realigi kontraŭ-inversajn cirkvitojn. En la cirkvito, la fonto (S) de la N-kanala MOSFET estas konektita al la negativa terminalo de la ŝarĝo, la drenilo (D) estas konektita al la pozitiva terminalo de la elektroprovizo, kaj la pordego (G) estas konektita al la negativa terminalo de la nutrado tra rezistilo aŭ kontrolita per kontrolcirkvito.

Antaŭa konekto: la pozitiva terminalo de la nutrado estas konektita al D, kaj la negativa terminalo estas konektita al S. En ĉi tiu tempo, la rezistilo disponigas la pordegan fonttension (VGS) por la MOSFET, kaj kiam VGS estas pli granda ol la sojlo. tensio (Vth) de la MOSFET, la MOSFET kondukas, kaj la fluo fluas de la pozitiva terminalo de la elektroprovizo al la ŝarĝo tra la MOSFET.

Kiam inversigita: la pozitiva terminalo de la nutrado estas konektita al S, kaj la negativa terminalo estas konektita al D. En ĉi tiu tempo, la MOSFET estas en tranĉa stato kaj la cirkvito estas malkonektita por protekti la ŝarĝon kontraŭ damaĝo ĉar la pordega tensio. ne kapablas formi sufiĉan VGS por fari la MOSFET-konduton (VGS povas esti malpli ol 0 aŭ multe malpli ol Vth).

2. Rolo de Helpaj Komponentoj

Rezisto: Uzita por disponigi pordegan fonttension por MOSFET kaj limigi pordegan fluon por malhelpi pordegan trokurentan damaĝon.

Tensioreguligisto: laŭvola komponento uzita por malhelpi la pordegfontension esti tro alta kaj malkonstrui la MOSFET.

Parazita Diodo: Parazita diodo (korpdiodo) ekzistas ene de la MOSFET, sed ĝia efiko estas kutime ignorita aŭ evitita per cirkvitdezajno por eviti sian malutilan efikon en kontraŭ-inversaj cirkvitoj.

Trie, la avantaĝoj de la MOSFET kontraŭ-inversa cirkvito

Malalta perdo: MOSFET sur-rezisto estas malgranda, la sur-rezista tensio estas reduktita, do la cirkvitoperdo estas malgranda.

Alta fidindeco: kontraŭ-inversa funkcio povas esti realigita per simpla cirkvito-dezajno, kaj la MOSFET mem havas altan gradon de fidindeco.

Fleksebleco: malsamaj MOSFET-modeloj kaj cirkvitaj dezajnoj povas esti elektitaj por plenumi malsamajn aplikajn postulojn.

Antaŭzorgoj

En la dezajno de MOSFET kontraŭ-inversa cirkvito, vi devas certigi, ke la elekto de MOSFET-oj por plenumi la aplikajn postulojn, inkluzive de tensio, kurento, ŝanĝa rapido kaj aliaj parametroj.

Necesas konsideri la influon de aliaj komponantoj en la cirkvito, kiel parazita kapacitanco, parazita indukto ktp., por eviti malfavorajn efikojn al la cirkvito-agado.

En praktikaj aplikoj, taŭga testado kaj konfirmo ankaŭ estas postulataj por certigi la stabilecon kaj fidindecon de la cirkvito.

En resumo, la kontraŭ-inversa cirkvito MOSFET estas simpla, fidinda kaj malalt-perda elektra provizoprotekta skemo, kiu estas vaste uzata en diversaj aplikoj, kiuj postulas la preventadon de inversa potenca poluseco.