Ĉefaj parametroj de MOSFET-oj kaj komparo kun triodoj

Field Effect Transistor mallongigita kielMOSFET.Ekzistas du ĉefaj tipoj: junkciaj kampefikaj tuboj kaj metal-oksidaj duonkonduktaĵoj kampefikaj tuboj. La MOSFET ankaŭ estas konata kiel unupolusa transistoro kun plimulto de aviad-kompanioj implikitaj en la kondukteco. Ili estas tensi-kontrolitaj duonkonduktaĵoj. Pro ĝia alta eniga rezisto, malalta bruo, malalta elektrokonsumo kaj aliaj karakterizaĵoj, igante ĝin forta konkuranto al dupolusaj transistoroj kaj potencaj transistoroj.

I. Ĉefaj parametroj de MOSFET

1, DC-parametroj

Saturiĝa drenfluo povas esti difinita kiel la drenfluo egalrilatanta al kiam la tensio inter pordego kaj fonto estas egala al nul kaj la tensio inter drenilo kaj fonto estas pli granda ol la pinĉ-detensio.

Pinĉ-for-tensio UP: La UGS postulata por redukti la ID al malgranda fluo kiam la UDS estas certa;

Enŝalta tensio UT: UGS necesas por alporti ID al certa valoro kiam UDS estas certa.

2、AC-Parametroj

Malaltfrekvenca transkonduktaco gm : Priskribas la kontrolefikon de pordego kaj fonttensio sur drenfluo.

Interpolusa kapacitanco: la kapacitanco inter la tri elektrodoj de la MOSFET, ju pli malgranda la valoro, des pli bona la rendimento.

3, Limigaj parametroj

Drain, fonto paneo tensio: kiam la drenilo kurento pliiĝas akre, ĝi produktos lavango rompo kiam la UDS.

Pordego rompo tensio: krucvojo kampo efiko tubo normala operacio, pordego kaj fonto inter la PN krucvojo en la inversa bias stato, la fluo estas tro granda por produkti paneo.

II. Karakterizaĵoj deMOSFEToj

MOSFET havas plifortigan funkcion kaj povas formi plifortigitan cirkviton. Kompare kun triodo, ĝi havas la sekvajn trajtojn.

(1) La MOSFET estas tensio kontrolita aparato, kaj la potencialo estas kontrolita de UGS;

(2) La fluo ĉe la enigo de la MOSFET estas ekstreme malgranda, do ĝia eniga rezisto estas tre alta;

(3) Ĝia temperaturstabileco estas bona ĉar ĝi uzas majoritatajn portantojn por kondukteco;

(4) La tensio-amplifiga koeficiento de sia plifortiga cirkvito estas pli malgranda ol tiu de triodo;

(5) Ĝi estas pli imuna al radiado.

Trie,MOSFET kaj transistora komparo

(1) MOSFET fonto, pordego, drenilo kaj triodo fonto, bazo, fikspunkto poluso respondas al la rolo de simila.

(2) MOSFET estas tensio-kontrolita nuna aparato, la plifortiga koeficiento estas malgranda, la plifortiga kapablo estas malbona; triodo estas kurent-kontrolita tensio-aparato, la plifortiga kapablo estas forta.

(3) MOSFET-pordego esence ne prenas fluon; kaj trioda laboro, la bazo sorbos certan kurenton. Tial, la MOSFET-pordega eniga rezisto estas pli alta ol la trioda eniga rezisto.

(4) La kondukta procezo de MOSFET havas la partoprenon de polytron, kaj la triodo havas la partoprenon de du specoj de portantoj, polytron kaj oligotron, kaj ĝia koncentriĝo de oligotron estas tre tuŝita de la temperaturo, radiado kaj aliaj faktoroj, tial, MOSFET. havas pli bonan temperaturstabilecon kaj radiadreziston ol transistoro. MOSFET devus esti elektita kiam la mediaj kondiĉoj multe ŝanĝiĝas.

(5) Kiam MOSFET estas konektita al la fonta metalo kaj la substrato, la fonto kaj drenilo povas esti interŝanĝitaj kaj la karakterizaĵoj ne multe ŝanĝas, dum kiam la kolektanto kaj elsendilo de la transistoro estas interŝanĝitaj, la karakterizaĵoj estas malsamaj kaj la β-valoro. estas reduktita.

(6) La brua figuro de MOSFET estas malgranda.

(7) MOSFET kaj triodo povas esti kunmetitaj de diversaj amplifilaj cirkvitoj kaj ŝanĝaj cirkvitoj, sed la unua konsumas malpli da potenco, alta termika stabileco, larĝa gamo de provizo-tensio, do ĝi estas vaste uzata en grandskalaj kaj ultragrandaj. skalaj integraj cirkvitoj.

(8) La sur-rezisto de la triodo estas granda, kaj la sur-rezisto de la MOSFET estas malgranda, do MOSFET-oj estas ĝenerale uzataj kiel ŝaltiloj kun pli alta efikeco.