WSR200N08 N-kanalo 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2.9mΩ

ID:200A

Kanalo:N-kanalo

Pako:TO-220-3L

Somera Produkto:La WSR200N08 MOSFET povas manipuli ĝis 80 voltojn kaj 200 amperojn kun rezisto de 2.9 miliohmoj. Ĝi estas N-kanala aparato kaj venas en pakaĵo TO-220-3L.

Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, bateriaj administradsistemoj, rezervaj energifontoj, senpilotaj aerveturiloj, sanaj aparatoj, elektraj aŭtomobilaj ŝargaj ekipaĵoj, kontrolunuoj, 3D-presaj maŝinoj, elektronikaj aparatoj, malgrandaj hejm-aparatoj kaj konsumelektroniko.

Sendu Demandon PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSR200N08 estas la plej alta rendimento tranĉea N-Ch MOSFET kun ekstrema alta ĉela denseco, kiu provizas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj el la sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj. La WSR200N08 plenumas la postulon de RoHS kaj Verda Produkto, 100% EAS garantiita kun plena funkcia fidindeco aprobita.

Trajtoj

Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio, Super Low Gate Charge, Bonega CdV/dt-efika malkresko, 100% EAS Garantiita, Verda Aparato Havebla.

Aplikoj

Ŝanĝanta aplikaĵo, Potenca Administrado por Invetilaj Sistemoj, Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, motoroj, BMS, kriz-elektroprovizoj, virabeloj, medicina, aŭtoŝargado, regiloj, 3D-presiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.

responda materiala nombro

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, ktp.

Gravaj parametroj

Elektraj Karakterizaĵoj (TJ=25℃, krom se alie notite)

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	80	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±25	V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2,TC=25°C	790	A
EAS	Lavanga Energio, Ununura pulso, L=0.5mH	1496	mJ
IAS	Lavanga Fluo, Ununura pulso, L=0.5mH	200	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	345	W
PD@TC=100℃	Tuta Potenca Dissipado4	173	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	—55 ĝis 175	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	175	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Typ.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (10V)	VDS=80V , VGS=10V , ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	31	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	75	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	18	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	42	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	54	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	1029	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	650	---