WSD30140DN56 N-kanalo 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1.7mΩ

ID:85A

Kanalo:N-kanalo

Pako:DFN5*6-8

Somera Produkto:La tensio de WSD30140DN56 MOSFET estas 30V, la fluo estas 85A, la rezisto estas 1.7mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5 * 6-8.

Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.

Sendu Demandon PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSD30140DN56 estas la plej alta rendimento tranĉea N-kanala MOSFET kun tre alta ĉela denseco provizanta bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj. WSD30140DN56 konformas al RoHS kaj verdaj produktopostuloj, 100% EAS-garantio, plena funkcio fidindeco aprobita.

Trajtoj

Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio, ultra-malalta pordega ŝargo, bonega CdV/dt-efika malfortiĝo, 100% EAS-garantio, verdaj aparatoj haveblaj

Aplikoj

Altfrekvenca punkto-de-ŝarĝo-sinkronigo, buktransformiloj, interkonektitaj DC-DC elektraj sistemoj, elektraj ilaplikoj, elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, virabeloj, kuracado, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj, konsumelektroniko

responda materiala nombro

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. SUR NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	30	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	300	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	50	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Typ.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=10V , ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=4.5V , ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=5V , ID=20A	---	90	---	S
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	9.5	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	11.4	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	6	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	38.5	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	10	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	1280	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	160	---