WST8205 Duobla N-Kanalo 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

produktoj

WST8205 Duobla N-Kanalo 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Mallonga priskribo:


  • Modela Nombro:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • ID:5.8A
  • Kanalo:Duobla N-Kanalo
  • Pako:SOT-23-6L
  • Somera Produkto:La WST8205 MOSFET funkcias je 20 voltoj, subtenas 5.8 amperojn da kurento, kaj havas reziston de 24 miliohmoj.La MOSFET konsistas el Duobla N-Kanalo kaj estas pakita en SOT-23-6L.
  • Aplikoj:Aŭta elektroniko, LED-lumoj, audio, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsuma elektroniko, protektaj tabuloj.
  • Produkta Detalo

    Apliko

    Produktaj Etikedoj

    Ĝenerala priskribo

    La WST8205 estas alta rendimento tranĉea N-Ch MOSFET kun ekstreme alta ĉela denseco, provizante bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj malgrandaj potencaj ŝanĝaj kaj ŝarĝaj ŝanĝaj aplikoj.La WST8205 plenumas la postulojn de RoHS kaj Verda Produkto kun plena aprobo pri funkcia fidindeco.

    Trajtoj

    Nia altnivela teknologio enhavas novigajn funkciojn, kiuj distingas ĉi tiun aparaton de aliaj en la merkato.Kun altĉelaj densecaj tranĉeoj, ĉi tiu teknologio ebligas pli grandan integriĝon de komponantoj, kondukante al plifortigita rendimento kaj efikeco. Unu rimarkinda avantaĝo de ĉi tiu aparato estas ĝia ekstreme malalta pordega ŝargo.Kiel rezulto, ĝi postulas minimuman energion por ŝanĝi inter siaj enŝaltitaj kaj malŝaltitaj statoj, rezultigante reduktitan energikonsumon kaj plibonigitan ĝeneralan efikecon.Ĉi tiu malalta pordega ŝarga karakterizaĵo faras ĝin ideala elekto por aplikoj, kiuj postulas altrapidan ŝanĝadon kaj precizan kontrolon.Aldone, nia aparato elstaras en reduktado de Cdv/dt-efektoj.Cdv/dt, aŭ la indico de ŝanĝo de drenil-al-fonta tensio dum tempo, povas kaŭzi nedezirindajn efikojn kiel ekzemple tensiopikiloj kaj elektromagneta interfero.Efike minimumigante ĉi tiujn efikojn, nia aparato certigas fidindan kaj stabilan funkciadon, eĉ en postulemaj kaj dinamikaj medioj. Krom ĝia teknika lerteco, ĉi tiu aparato ankaŭ estas ekologiema.Ĝi estas dizajnita kun daŭripovo en menso, konsiderante faktorojn kiel potenco-efikeco kaj longviveco.Funkciante kun plej granda energia efikeco, ĉi tiu aparato minimumigas sian karbonspuron kaj kontribuas al pli verda estonteco. En resumo, nia aparato kombinas altnivelan teknologion kun altĉelaj densecaj tranĉeoj, ekstreme malalta pordega ŝargo kaj bonega redukto de Cdv/dt-efikoj.Kun ĝia ekologia dezajno, ĝi ne nur liveras superan efikecon kaj efikecon, sed ankaŭ kongruas kun la kreskanta bezono de daŭrigeblaj solvoj en la hodiaŭa mondo.

    Aplikoj

    Altfrekvenca Punkto-de-Ŝarĝo Sinkrona Malgranda potenca ŝaltilo por MB/NB/UMPC/VGA Reto DC-DC Potenca Sistemo, Aŭto-elektroniko, LED-lumoj, audio, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko, protektaj tabuloj.

    responda materiala nombro

    AOS AO6804A, NXP PMDT290UNE, PANJIT PJS6816, Sinopower SM2630DSC, dintek DTS5440, DTS8205, DTS5440, DTS8205, RU8205C6.

    Gravaj parametroj

    Simbolo Parametro Taksado Unuoj
    VDS Drain-Fonto Tensio 20 V
    VGS Pordega-Fonta Tensio ±12 V
    ID@Tc=25℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Pulsita Drena Kurento2 16 A
    PD@TA=25℃ Tuta Potenca Dissipado3 2.1 W
    TSTG Stokado de Temperatura Gamo -55 ĝis 150
    TJ Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo -55 ĝis 150
    Simbolo Parametro Kondiĉoj Min. Tip. Maks. Unuo
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatura Koeficiento Referenco al 25℃, ID=1mA --- 0.022 --- V/℃
    RDS(ON) Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2 VGS=4.5V , ID=5.5A --- 24 28
           
        VGS=2.5V , ID=3.5A --- 30 45  
    VGS(th) Pordega Sojla Tensio VGS=VDS , ID =250uA 0.5 0.7 1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Temperaturkoeficiento   --- —2.33 --- mV/℃
    IDSS Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Antaŭen Transkonduktanco VDS=5V , ID=5A --- 25 --- S
    Rg Pordega Rezisto VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V) VDS=10V , VGS=4.5V , ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Pordego-Fonta Ŝargo --- 1.4 2.0
    Qgd Pordego-Drena Ŝarĝo --- 2.2 3.2
    Td (ŝaltita) Enŝalta Prokrasto VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Leviĝotempo --- 34 63
    Td (malŝaltita) Malŝalta Prokrasto --- 22 46
    Tf Aŭtuna Tempo --- 9.0 18.4
    Ciss Eniga Kapacito VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Eliga Kapacito --- 69 98
    Crss Inversa Transiga Kapacitanco --- 61 88

  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni