WST2078 N&P Kanalo 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3.8A/-4.5A

Kanalo:N&P Kanalo

Pako:SOT-23-6L

Somera Produkto:La WST2078 MOSFET havas tensiajn rangigojn de 20V kaj -20V. Ĝi povas trakti fluojn de 3.8A kaj -4.5A, kaj havas rezistvalorojn de 45mΩ kaj 65mΩ. La MOSFET havas ambaŭ kapablojn de N&P Channel kaj venas en pakaĵo SOT-23-6L.

Aplikoj:E-cigaredoj, regiloj, ciferecaj produktoj, aparatoj kaj konsumelektroniko.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WST2078 estas la plej bona MOSFET por malgrandaj potencaj ŝaltiloj kaj ŝarĝaj aplikoj. Ĝi havas altan ĉelan densecon, kiu provizas bonegan RDSON kaj pordegon. Ĝi plenumas la postulojn de RoHS kaj Verda Produkto kaj estis aprobita por plena funkcia fidindeco.

Karakterizaĵoj

Altnivela teknologio kun altĉelaj densecaj tranĉeoj, ekstreme malalta pordega ŝargo, kaj bonega redukto de Cdv/dt-efikoj. Ĉi tiu aparato ankaŭ estas ekologiema.

Aplikoj

Altfrekvenca punkto-de-ŝarĝo sinkrona malgranda potenca ŝaltilo estas perfekta por uzo en MB/NB/UMPC/VGA, interkonektanta DC-DC elektraj sistemoj, ŝarĝŝaltiloj, e-cigaredoj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, kaj konsumanto. elektroniko.

responda materiala nombro

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado		Unuoj
Simbolo	Parametro	N-kanalo	P-kanalo	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	20	-20	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Tuta Potenca Dissipado3	1.4	1.4	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150	-55 ĝis 150	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150	-55 ĝis 150	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=4.5V , ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V , ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	0.7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =250uA	---	—2,51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±8V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=5V , ID=1A	---	8	---	S
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	1.5	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	2.1	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	13	23
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	15	28
Tf	Aŭtuna Tempo		---	3	5.5
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	51	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	52	---