WST2011 Duobla P-Kanalo -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Ĝenerala priskribo
La WST2011 MOSFET-oj estas la plej altnivelaj P-ch-transistoroj haveblaj, havante senekvalitan ĉeldensecon.Ili ofertas esceptan agadon, kun malalta RDSON kaj pordega ŝargo, igante ilin idealaj por malgranda potenco-ŝanĝado kaj ŝarĝa ŝaltilo aplikoj.Krome, la WST2011 plenumas normojn de RoHS kaj Verda Produkto kaj fanfaronas pri plenfunkcia fidindecaprobo.
Trajtoj
Altnivela Trench-teknologio permesas pli altan ĉeldensecon, rezultigante Verda Aparato kun Super Low Gate Charge kaj bonega CdV/dt-efika malkresko.
Aplikoj
Altfrekvenca punkto-de-ŝarĝo sinkrona malgranda potencoŝanĝo taŭgas por uzo en MB/NB/UMPC/VGA, interkonektanta DC-DC-potencsistemojn, ŝarĝŝaltilojn, e-cigaredojn, regilojn, ciferecajn produktojn, malgrandajn hejmajn aparatojn kaj konsumelektronikon. .
responda materiala nombro
SUR FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Gravaj parametroj
| Simbolo | Parametro | Taksado | Unuoj | |
| 10s | Konstanta stato | |||
| VDS | Drain-Fonto Tensio | -20 | V | |
| VGS | Pordega-Fonta Tensio | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Kontinua Malpleniga Fluo, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinua Malpleniga Fluo, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Pulsita Drena Kurento2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Tuta Potenca Dissipado3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Tuta Potenca Dissipado3 | 1.2 | 0.9 | W |
| TSTG | Stokado de Temperatura Gamo | -55 ĝis 150 | ℃ | |
| TJ | Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo | -55 ĝis 150 | ℃ | |
| Simbolo | Parametro | Kondiĉoj | Min. | Tip. | Maks. | Unuo |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatura Koeficiento | Referenco al 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2 | VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2.5V , ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Pordega Sojla Tensio | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,5 | -1.0 | -1.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeficiento | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Fonto Elflua Fluo | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Pordego-Fonto Elflua Fluo | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Antaŭen Transkonduktanco | VDS=-5V , ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Totala Pordega Ŝarĝo (-4.5V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Pordego-Fonta Ŝargo | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Pordego-Drena Ŝarĝo | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td (ŝaltita) | Enŝalta Prokrasto | VDD=-15V, VGS=-4.5V, RG=3.3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Leviĝotempo | --- | 9.3 | --- | ||
| Td (malŝaltita) | Malŝalta Prokrasto | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Aŭtuna Tempo | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Eniga Kapacito | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Eliga Kapacito | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Inversa Transiga Kapacitanco | --- | 68 | --- |
