WSR200N08 N-kanalo 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

produktoj

WSR200N08 N-kanalo 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Mallonga priskribo:


  • Modela Nombro:WSR200N08
  • BVDSS:80V
  • RDSON:2.9mΩ
  • ID:200A
  • Kanalo:N-kanalo
  • Pako:TO-220-3L
  • Somera Produkto:La WSR200N08 MOSFET povas manipuli ĝis 80 voltojn kaj 200 amperojn kun rezisto de 2.9 miliohmoj.Ĝi estas N-kanala aparato kaj venas en pakaĵo TO-220-3L.
  • Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, bateriaj administradsistemoj, rezervaj energifontoj, senpilotaj aerveturiloj, sanaj aparatoj, elektraj aŭtomobilaj ŝargaj ekipaĵoj, kontrolunuoj, 3D-presaj maŝinoj, elektronikaj aparatoj, malgrandaj hejm-aparatoj kaj konsumelektroniko.
  • Produkta Detalo

    Apliko

    Produktaj Etikedoj

    Ĝenerala priskribo

    La WSR200N08 estas la plej alta rendimento tranĉea N-Ch MOSFET kun ekstrema alta ĉela denseco, kiu provizas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj el la sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj.La WSR200N08 plenumas la postulon de RoHS kaj Verda Produkto, 100% EAS garantiita kun plena funkcia fidindeco aprobita.

    Trajtoj

    Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio, Super Low Gate Charge, Bonega CdV/dt-efika malkresko, 100% EAS Garantiita, Verda Aparato Havebla.

    Aplikoj

    Ŝanĝanta aplikaĵo, Potenca Administrado por Invetilaj Sistemoj, Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, motoroj, BMS, kriz-elektroprovizoj, virabeloj, medicina, aŭtoŝargado, regiloj, 3D-presiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.

    responda materiala nombro

    AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, ktp.

    Gravaj parametroj

    Elektraj Karakterizaĵoj (TJ=25℃, krom se alie notite)

    Simbolo Parametro Taksado Unuoj
    VDS Drain-Fonto Tensio 80 V
    VGS Pordega-Fonta Tensio ±25 V
    ID@TC=25℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1 200 A
    ID@TC=100℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1 144 A
    IDM Pulsita Drena Kurento2,TC=25°C 790 A
    EAS Lavanga Energio, Ununura pulso, L=0.5mH 1496 mJ
    IAS Lavanga Fluo, Ununura pulso, L=0.5mH 200 A
    PD@TC=25℃ Tuta Potenca Dissipado4 345 W
    PD@TC=100℃ Tuta Potenca Dissipado4 173 W
    TSTG Stokado de Temperatura Gamo —55 ĝis 175
    TJ Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo 175
    Simbolo Parametro Kondiĉoj Min. Tip. Maks. Unuo
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA 80 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatura Koeficiento Referenco al 25℃, ID=1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS(ON) Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2 VGS=10V,ID=100A --- 2.9 3.5
    VGS(th) Pordega Sojla Tensio VGS=VDS , ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) Temperaturkoeficiento --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±25V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Pordega Rezisto VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 3.2 --- Ω
    Qg Totala Pordega Ŝarĝo (10V) VDS=80V , VGS=10V , ID=30A --- 197 --- nC
    Qgs Pordego-Fonta Ŝargo --- 31 ---
    Qgd Pordego-Drena Ŝarĝo --- 75 ---
    Td (ŝaltita) Enŝalta Prokrasto VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A --- 28 --- ns
    Tr Leviĝotempo --- 18 ---
    Td (malŝaltita) Malŝalta Prokrasto --- 42 ---
    Tf Aŭtuna Tempo --- 54 ---
    Ciss Eniga Kapacito VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 8154 --- pF
    Coss Eliga Kapacito --- 1029 ---
    Crss Inversa Transiga Kapacitanco --- 650 ---

  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni