WSP4447 P-Kanalo -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

ID:-11A

Kanalo:P-kanalo

Pako:SOP-8

Somera Produkto:La tensio de WSP4447 MOSFET estas -40V, la fluo estas -11A, la rezisto estas 13mΩ, la kanalo estas P-Kanalo, kaj la pako estas SOP-8.

Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, virabeloj, medicinaj aparatoj, aŭtomataj ŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj kaj konsumelektroniko.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSP4447 estas plej altfara MOSFET, kiu uzas tranĉean teknologion kaj havas altan ĉelan densecon. Ĝi ofertas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon, igante ĝin taŭga por uzo en la plej multaj sinkronaj buck-konvertiloj. La WSP4447 plenumas normojn de RoHS kaj Verda Produkto, kaj venas kun 100% EAS-garantio por plena fidindeco.

Karakterizaĵoj

Altnivela Trench-teknologio permesas pli altan ĉeldensecon, rezultigante Verda Aparato kun Super Low Gate Charge kaj bonega CdV/dt-efika malkresko.

Aplikoj

Altfrekvenca Konvertilo por Vario de Elektroniko
Ĉi tiu konvertilo estas desegnita por efike funkciigi ampleksan gamon da aparatoj, inkluzive de tekkomputiloj, videoludaj konzoloj, interkonektaj ekipaĵoj, elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, virabeloj, medicinaj aparatoj, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj kaj konsumantoj. elektroniko.

responda materiala nombro

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	—40	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	V
ID@TA=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM a	300µs Pulsita Malpleniga Kurento (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Lavanga Energio, Ununura pulso (L=0.1mH)	54	mJ
IAS b	Lavanga Fluo, Ununura pulso (L=0.1mH)	—33	A
PD@TA=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	2.0	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	—40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=-10V , ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2					mΩ
		VGS=-4.5V , ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=-5V , ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	5.2	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	8	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	12	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	41	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	22	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	235	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	180	---