WSP4099 Duobla P-Kanalo -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ID:-6.5A

Kanalo:Duobla P-Kanalo

Pako:SOP-8

Somera Produkto:La WSP4099 MOSFET havas tension de -40V, fluon de -6.5A, reziston de 30mΩ, Duoblan P-Kanelo, kaj venas en SOP-8-pakaĵo.

Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝarĝo, motoroj, virabeloj, medicinaj, aŭtomataj ŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj, konsumelektroniko.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSP4099 estas potenca tranĉea P-ch MOSFET kun alta ĉela denseco. Ĝi liveras bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon, igante ĝin taŭga por la plej multaj sinkronaj buck-konvertiloj. Ĝi renkontas RoHS kaj GreenProduct-normojn kaj havas 100% EAS-garantion kun plena aprobo pri fidindeco de funkcioj.

Karakterizaĵoj

Altnivela Trench Technology kun alta ĉela denseco, ultra-malalta pordega ŝargo, bonega CdV/dt-efika kadukiĝo kaj 100% EAS-garantio estas ĉiuj trajtoj de niaj verdaj aparatoj, kiuj estas facile haveblaj.

Aplikoj

Altfrekvenca Punkto-de-Ŝarĝo Sinkrona Buck-Konvertilo por MB/NB/UMPC/VGA, Retiga DC-DC Potenca Sistemo, Ŝarĝŝaltilo, E-cigaredoj, sendrata ŝargado, motoroj, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj , malgrandaj hejm-aparatoj, kaj konsumelektroniko.

responda materiala nombro

SUR FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	—40	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinua Malpleniga Kurento, -VGS @ -10V1	-6.5	A
ID@TC=100℃	Kontinua Malpleniga Kurento, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	-22	A
EAS	Ununura Pulso Lavanga Energio3	25	mJ
IAS	Lavanga Fluo	-10	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	2.0	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	—40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=-10V, ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=-4.5V , ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2.0	-2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=-5V , ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-4.5V , ID=-6.5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	2.4	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	3.5	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	7	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	31	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	17	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	98	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	72	---