WSP4088 N-kanalo 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSP4088 N-kanalo 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:


  • Modela Nombro:WSP4088
  • BVDSS:40V
  • RDSON:13mΩ
  • ID:11A
  • Kanalo:N-kanalo
  • Pako:SOP-8
  • Somera Produkto:La tensio de WSP4088 MOSFET estas 40V, la fluo estas 11A, la rezisto estas 13mΩ, la kanalo estas N-kanalo kaj la pako estas SOP-8.
  • Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝarĝo, motoroj, virabeloj, medicina, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.
  • Produkta Detalo

    Apliko

    Produktaj Etikedoj

    Ĝenerala Priskribo

    La WSP4088 estas la plej alta rendimento tranĉea N-kanala MOSFET kun tre alta ĉela denseco provizanta bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj. WSP4088 konformas al RoHS kaj verdaj produktopostuloj, 100% EAS-garantio, plena funkcio fidindeco aprobita.

    Karakterizaĵoj

    Fidindaj kaj Fortaj, Senplumbo kaj Verdaj Aparatoj Disponeblaj

    Aplikoj

    Potencadministrado en labortabla Komputilo aŭ DC/DC-Konvertiloj, Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, motoroj, virabeloj, medicina, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.

    responda materiala nombro

    AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 ktp.

    Gravaj parametroj

    Absolutaj Maksimumaj Rangigoj (TA = 25 C Krom Se Alie Noto)

    Simbolo Parametro   Taksado Unuo
    Komunaj Taksoj    
    VDSS Drain-Fonto Tensio   40 V
    VGSS Pordega-Fonta Tensio   ±20
    TJ Maksimuma Junkcia Temperaturo   150 °C
    TSTG Stokado de Temperatura Gamo   -55 ĝis 150
    IS Diodo Continuous Forward Current TA=25°C 2 A
    ID Kontinua Malpleniga Fluo TA=25°C 11 A
    TA=70°C 8.4
    IDM a Pulsita Drena Fluo TA=25°C 30
    PD Maksimuma Potenca Dissipado TA=25°C 2.08 W
    TA=70°C 1.3
    RqJA Termika Rezisto-Kunkcio al Ambient t £ 10s 30 °C/W
    Konstanta Ŝtato 60
    RqJL Termika Rezisto-Kunkcio al Plumbo Konstanta Ŝtato 20
    IAS b Lavanga Fluo, Ununura pulso L = 0,1 mH 23 A
    EAS b Lavanga Energio, Ununura pulso L = 0,1 mH 26 mJ

    Notu a:Maks. kurento estas limigita per ligado de drato.
    Noto b:UIS testita kaj pulslarĝo limigita de maksimuma kuniĝa temperaturo 150oC (komenca temperaturo Tj=25oC).

    Elektraj Karakterizaĵoj (TA = 25 C Krom Se Alie Noto)

    Simbolo Parametro Testkondiĉoj Min. Tip. Maks. Unuo
    Statikaj Karakterizaĵoj
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Nula Pordega Tensio Drena Kurento VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS(th) Pordega Sojla Tensio VDS=VGS, IDS=250mA 1.5 1.8 2.5 V
    IGSS Pordega Elflua Fluo VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    RDS(ON) ĉ Drain-Fonto Sur-ŝtata Rezisto VGS=10V, IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ=125°C - 15.75 -
    VGS=4.5V, IDS=5A - 12 16
    Gfs Antaŭen Transkonduktanco VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Diodaj Karakterizaĵoj
    VSD ĉ Dioda Antaŭa Tensio ISD=10A, VGS=0V - 0.9 1.1 V
    trr Inversa Reakiro Tempo VDD=20V, ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta Ŝargo Tempo - 9.4 -
    tb Tempo de Malŝarĝo - 5.8 -
    Qrr Inversa Reakiro Ŝarĝo - 9.5 - nC
    Dinamikaj Karakterizaĵoj d
    RG Pordega Rezisto VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0.7 1.1 1.8 W
    Ciss Eniga Kapacito VGS=0V, VDS=20V, Ofteco=1.0MHz - 1125 - pF
    Coss Eligo Kapacitanco - 132 -
    Crss Inversa Transiga Kapacitanco - 70 -
    td(ON) Enŝalta Malfrua Tempo VDD=20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Ŝalti Levtempon - 10 -
    td (OFF) Malŝalta Malfrua Tempo - 23.6 -
    tf Malŝalti Aŭtuna Tempo - 6 -
    Karakterizaĵoj de Pordego Ŝarĝo d
    Qg Totala Pordega Ŝarĝo VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Totala Pordega Ŝarĝo VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Sojla Pordega Ŝarĝo - 2 -
    Qgs Pordego-Fonta Ŝargo - 3.9 -
    Qgd Pordego-Drena Ŝarĝo - 3 -

    Notu c:
    Pulso-testo; pulslarĝo £300ms, devociklo£2%.


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni