WSM340N10G N-kanalo 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1.6mΩ

ID:340A

Kanalo:N-kanalo

Pako:TOLL-8L

Somera Produkto:La tensio de WSM340N10G MOSFET estas 100V, la fluo estas 340A, la rezisto estas 1.6mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas TOLL-8L.

Aplikoj:Medicina ekipaĵo, virabeloj, PD-elektraj provizoj, LED-elektraj provizoj, industriaj ekipaĵoj, ktp.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSM340N10G estas la plej alta rendimento tranĉea N-Ch MOSFET kun ekstrema alta ĉela denseco, kiu provizas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj el la sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj. La WSM340N10G plenumas la postulon de RoHS kaj Verda Produkto, 100% EAS garantiita kun plena funkcia fidindeco aprobita.

Karakterizaĵoj

Altnivela altĉela denseco Trench-teknologio, Super Low Gate Charge, Bonega CdV/dt-efika malkresko, 100% EAS Garantiita, Verda Aparato Havebla.

Aplikoj

Sinkrona rektigo, DC/DC-Konvertilo, Ŝarĝŝaltilo, Medicina ekipaĵo, virabeloj, PD-elektraj provizoj, LED-elektraj provizoj, industriaj ekipaĵoj ktp.

Gravaj parametroj

Absolutaj Maksimumaj Taksoj

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	100	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulsita Drena Kurento..TC=25°C	1150	A
EAS	Lavanga Energio, Ununura pulso, L=0.5mH	1800	mJ
IAS	Lavanga Fluo, Ununura pulso, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado	375	W
PD@TC=100℃	Tuta Potenca Dissipado	187	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	—55 ĝis 175	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	175	℃

Elektraj Karakterizaĵoj (TJ=25℃, krom se alie notite)

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drain-Fonto Sur-rezisto	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	80	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	60	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	50	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	228	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	322	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	6160	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	220	---