WSM320N04G N-kanalo 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2mΩ

ID:320A

Kanalo:N-kanalo

Pako:TOLL-8L

Somera Produkto:La WSM320N04G MOSFET havas tension de 40V, fluon de 320A, reziston de 1.2mΩ, N-kanalon kaj pakaĵon TOLL-8L.

Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝarĝo, virabeloj, medicina, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala Priskribo

La WSM320N04G estas alt-efikeca MOSFET, kiu uzas tranĉean dezajnon kaj havas tre altan ĉelan densecon. Ĝi havas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon kaj taŭgas por plej multaj sinkronaj buck-konvertiloj. La WSM320N04G plenumas la postulojn de RoHS kaj Verda Produkto kaj estas garantiita havi 100% EAS kaj plenan funkcion fidindecon.

Karakterizaĵoj

Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio, dum ankaŭ havante malaltan pordegan ŝargon por optimuma rendimento. Aldone, ĝi fanfaronas pri bonega CdV/dt-efika malkresko, 100% EAS-Garantion kaj ekologian opcion.

Aplikoj

Altfrekvenca Punkto-de-Ŝarĝo Sinkrona Buck-Konvertilo, Reto DC-DC Potenca Sistemo, Potenca Ila Apliko, Elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, virabeloj, kuracista, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj kaj konsumelektroniko.

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	40	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	900	A
EAS	Ununura Pulso Lavanga Energio3	980	mJ
IAS	Lavanga Fluo	70	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	250	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	—55 ĝis 175	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	—55 ĝis 175	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=4.5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =250uA	---	—6,94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	43	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	83	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Leviĝo Tempo		---	115	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	95	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	80	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Eligo Kapacitanco		---	1200	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	800	---