WSF6012 N&P-Kanalo 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

Mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Kanalo:N&P-Kanalo

Pako:TO-252-4L

Somera Produkto:La WSF6012 MOSFET havas tensian gamon de 60V kaj -60V, povas pritrakti fluojn ĝis 20A kaj -15A, havas reziston de 28mΩ kaj 75mΩ, havas ambaŭ N&P-Channel, kaj estas pakita en TO-252-4L.

Aplikoj:E-cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, potencaj sekurkopioj, virabeloj, kuracado, aŭtoŝargiloj, regiloj, elektroniko, aparatoj kaj konsumvaroj.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala priskribo

La WSF6012 MOSFET estas alt-efikeca aparato kun altĉela denseca dezajno.Ĝi provizas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon taŭgan por la plej multaj sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj.Aldone, ĝi plenumas la postulojn de RoHS kaj Verda Produkto, kaj venas kun 100% EAS-garantio por plena funkcieco kaj fidindeco.

Trajtoj

Altnivela Tranĉeca Teknologio kun Alta Ĉela Denso, Super Malalta Pordega Ŝarĝo, Bonega Efekto Malkresko de CdV/dt, 100% EAS-Garantio kaj Ekologiaj Aparataj Elektoj.

Aplikoj

Altfrekvenca Punkto-de-Ŝarĝo Sinkrona Buck-Konvertilo, Retiga DC-DC Potenco-Sistemo, Ŝarĝŝaltilo, E-cigaredoj, sendrata ŝargado, motoroj, kriz-elektraj provizoj, virabeloj, kuracado, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj aparatoj, malgrandaj hejm-aparatoj, kaj konsumelektroniko.

responda materiala nombro

AOS AOD603A,

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado		Unuoj
Simbolo	Parametro	N-kanalo	P-kanalo	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	60	-60	V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	46	—36	A
EAS	Ununura Pulso Lavanga Energio3	200	180	mJ
IAS	Lavanga Fluo	59	-50	A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	34.7	34.7	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150	-55 ĝis 150	℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150	-55 ĝis 150	℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=10V , ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=4.5V , ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=5V , ID=8A	---	21	---	S
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V)	VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	3.5	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	6.3	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=30V, VGS=4.5V, RG=3.3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Leviĝotempo		---	14.2	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	24.6	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	4.6	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Eliga Kapacito		---	70	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	35	---