WSF4022 Duobla N-Kanalo 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Ĝenerala priskribo
La WSF4022 estas la plej alta rendimenta tranĉeo Duobla N-Ch MOSFET kun ekstrema alta ĉela denseco, kiu provizas bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj el la sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj. La WSF4022 plenumas la postulon de RoHS kaj Verda Produkto 100% EAS garantiita kun plena funkcio. fidindeco aprobita.
Trajtoj
Por Fan Antaŭ-ŝoforo H-Ponto, Motora Kontrolo, Sinkrona Rektifigo, E-cigaredoj, sendrata ŝarĝo, motoroj, kriz-elektroprovizoj, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko.
Aplikoj
Por Fan Antaŭ-ŝoforo H-Ponto, Motora Kontrolo, Sinkrona Rektifigo, E-cigaredoj, sendrata ŝarĝo, motoroj, kriz-elektroprovizoj, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj hejmaj aparatoj, konsumelektroniko.
responda materiala nombro
AOS
Gravaj parametroj
| Simbolo | Parametro | Taksado | Unuoj | |
| VDS | Drain-Fonto Tensio | 40 | V | |
| VGS | Pordega-Fonta Tensio | ±20 | V | |
| ID | Dreniga Kurento (Kontinua) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Dreniga Kurento (Kontinua) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Dreniga Kurento (Kontinua) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Dreniga Kurento (Kontinua) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Pulsita Drena Fluo | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Ununura Pulso Lavanga Energio | L = 0,5 mH | 25 | mJ |
| IAS b | Lavanga Fluo | L = 0,5 mH | 17.8 | A |
| PD | Maksimuma Potenca Dissipado | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Maksimuma Potenca Dissipado | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Potenco Dissipado | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Potenco Dissipado | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo | 175 | ℃ | |
| TSTG | Funkcia Temperaturo/ Stokada Temperaturo | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Termika Rezista Junkcio-Ambiente | Konstanta Ŝtato ĉ | 60 | ℃/W |
| RθJC | Termika Rezista Junkcio al Kazo | 3.8 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Kondiĉoj | Min. | Tip. | Maks. | Unuo |
| Senmova | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Nula Pordega Tensio Drena Kurento | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Nula Pordega Tensio Drena Kurento | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Pordega Elflua Fluo | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Pordega Sojla Tensio | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(on) d | Drain-Fonto Sur-ŝtata Rezisto | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Pordego Chargee | ||||||
| Qg | Totala Pordega Ŝarĝo | VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Pordego-Fonta Ŝargo | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Pordego-Drena Ŝarĝo | 2.75 | nC | |||
| Dinamiko | ||||||
| Ciss | Eniga Kapacito | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Eliga Kapacito | 95 | pF | |||
| Crss | Inversa Transiga Kapacitanco | 60 | pF | |||
| td (ŝaltita) | Enŝalta Malfrua Tempo | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Ŝalti Levtempon | 6.9 | ns | |||
| td (malŝaltita) | Malŝalta Malfrua Tempo | 22.4 | ns | |||
| tf | Malŝalti Aŭtuna Tempo | 4.8 | ns | |||
| Diodo | ||||||
| VSDd | Dioda Antaŭa Tensio | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Eniga Kapacito | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Eliga Kapacito | 8.7 | nC | |||
