WSD75N12GDN56 N-kanalo 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-produkta superrigardo
La tensio de WSD75N12GDN56 MOSFET estas 120V, la fluo estas 75A, la rezisto estas 6mΩ, la kanalo estas N-kanalo kaj la pako estas DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET aplikaj areoj
Medicina ekipaĵo MOSFET, virabeloj MOSFET, PD elektroprovizoj MOSFET, LED elektroprovizoj MOSFET, industria ekipaĵo MOSFET.
MOSFET-aplikkampojWINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET-parametroj
| Simbolo | Parametro | Taksado | Unuoj |
| VDSS | Dren-al-fonta Tensio | 120 | V |
| VGS | Pordego-al-fonta Tensio | ±20 | V |
| ID | 1 Kontinua Drena Kurento (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Kontinua Drena Kurento (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulsita Drena Fluo | 320 | A |
| IAR | Ununura pulsa lavanga fluo | 40 | A |
| EASa | Ununura pulso lavanga energio | 240 | mJ |
| PD | Potenco Dissipado | 125 | W |
| TJ，Tstg | Funkcianta Krucvojo kaj Stokada Temperaturintervalo | -55 ĝis 150 | ℃ |
| TL | Maksimuma Temperaturo por Lutado | 260 | ℃ |
| RθJC | Termika Rezisto, Junkcio-al-Kazo | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Termika Rezisto, Junction-al-Ambient | 50 | ℃/W |
| Simbolo | Parametro | Testkondiĉoj | Min. | Tip. | Maks. | Unuoj |
| VDSS | Drenu al Fonto-Paneo-Tensio | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drenu al Fonto Elflua Fluo | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Pordego al Fonto Forward Leakage | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Pordego al Fonto Inversa Elfluo | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Pordega Sojla Tensio | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Dren-al-Fonto Sur-rezisto | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Antaŭen Transkonduktanco | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Eniga Kapacito | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Eligo Kapacitanco | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Inversa Transiga Kapacitanco | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Pordega rezisto | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Enŝalta Malfrua Tempo | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Leviĝo Tempo | -- | 11 | -- | ns | |
| td (OFF) | Malŝalta Prokrasto | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Aŭtuna Tempo | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Totala Pordega Ŝarĝo | VGS = 0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Pordega Fonta Ŝarĝo | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Pordego Drena Ŝarĝo | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Dioda Antaŭa Fluo | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Dioda Pulso Kurento | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Dioda Antaŭa Tensio | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Inversa Reakiro tempo | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Inversa Reakiro Ŝarĝo | -- | 250 | -- | nC |
