WSD75100DN56 N-kanalo 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-produkta superrigardo
La tensio de WSD75100DN56 MOSFET estas 75V, la fluo estas 100A, la rezisto estas 5.3mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET aplikaj areoj
E-cigaredoj MOSFET, sendrata ŝarĝo MOSFET, virabeloj MOSFET, medicina prizorgado MOSFET, aŭtoŝargiloj MOSFET, regiloj MOSFET, ciferecaj produktoj MOSFET, malgrandaj hejmaj aparatoj MOSFET, konsumelektroniko MOSFET.
WINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G7,Semiconductor Semiconductor .
MOSFET-parametroj
| Simbolo | Parametro | Taksado | Unuoj |
| VDS | Drain-Fonto Tensio | 75 | V |
| VGS | Pordego-Source Tensio | ±25 | V |
| TJ | Maksimuma Junkcia Temperaturo | 150 | °C |
| ID | Stokado de Temperatura Gamo | -55 ĝis 150 | °C |
| IS | Dioda Kontinua Antaŭa Fluo,TC=25°C | 50 | A |
| ID | Kontinua Drena Fluo, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Kontinua Drena Fluo, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Pulsita Drena Kurento ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksimuma Potenca Dissipado,TC=25°C | 155 | W |
| Maksimuma Potenca Dissipado,TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Termika Rezisto-Junkcio al Medio ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Termika Rezisto-Kunkcio al Ĉirkaŭaĵo, Stabilo | 60 | °C | |
| RqJC | Termika Rezisto-Kunkcio al Kazo | 0.8 | °C |
| IAS | Lavanga Fluo, Ununura pulso, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Lavanga Energio, Ununura pulso, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simbolo | Parametro | Kondiĉoj | Min. | Tip. | Maks. | Unuo |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, miD=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeficiento | Referenco al 25℃, miD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Pordega Sojla Tensio | VGS=VDS, miD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeficiento | --- | —6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Fonto Elflua Fluo | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Pordego-Fonto Elflua Fluo | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Antaŭen Transkonduktanco | VDS=5V , miD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Pordega Rezisto | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Totala Pordega Ŝarĝo (10V) | VDS=20V , VGS=10V, miD=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Pordego-Fonta Ŝargo | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Pordego-Drena Ŝarĝo | --- | 17 | --- | ||
| Td (ŝaltita) | Enŝalta Prokrasto | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, miD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Leviĝo Tempo | --- | 14 | 26 | ||
| Td (malŝaltita) | Malŝalta Prokrasto | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Aŭtuna Tempo | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Eniga Kapacito | VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Eligo Kapacitanco | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Inversa Transiga Kapacitanco | 100 | 195 | 250 |
