WSD60N12GDN56 N-kanalo 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSD60N12GDN56 N-kanalo 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Partonumero:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Kanalo:N-kanalo

Pako:DFN5X6-8


Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

WINSOK MOSFET-produkta superrigardo

La tensio de WSD60N12GDN56 MOSFET estas 120V, la fluo estas 70A, la rezisto estas 10mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET aplikaj areoj

Medicina ekipaĵo MOSFET, virabeloj MOSFET, PD elektroprovizoj MOSFET, LED elektroprovizoj MOSFET, industria ekipaĵo MOSFET.

MOSFET-aplikkampojWINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.

MOSFET-parametroj

Simbolo

Parametro

Taksado

Unuoj

VDS

Drain-Fonto Tensio

120

V

VGS

Pordega-Fonta Tensio

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Kontinua Malpleniga Fluo

70

A

IDP

Pulsita Drena Fluo

150

A

EAS

Lavanga Energio, Ununura pulso

53.8

mJ

PD@TC= 25 ℃

Tuta Potenca Dissipado

140

W

TSTG

Stokado de Temperatura Gamo

-55 ĝis 150

TJ 

Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo

-55 ĝis 150

 

Simbolo

Parametro

Kondiĉoj

Min.

Tip.

Maks.

Unuo

BVDSS 

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, miD=250uA

120

---

---

V

  Statika Drain-Fonto Sur-rezisto VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(ON)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(th)

Pordega Sojla Tensio VGS=VDS, miD=250uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=80V, VGS=0V , TJ= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Totala Pordega Ŝarĝo (10V) VDS=50V , VGS=10V, miD=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Pordego-Fonta Ŝargo

---

5.6

---

Qgd 

Pordego-Drena Ŝarĝo

---

7.2

---

Td (ŝaltita)

Enŝalta Prokrasto VDD=50V , VGS=10V,

RG=2Ω, miD=25A

---

22

---

ns

Tr 

Leviĝo Tempo

---

10

---

Td (malŝaltita)

Malŝalta Prokrasto

---

85

---

Tf 

Aŭtuna Tempo

---

112

---

Ciss 

Eniga Kapacito VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Eligo Kapacitanco

---

330

---

Crss 

Inversa Transiga Kapacitanco

---

11

---

IS 

Kontinua Fonta Fluo VG=VD=0V , Forto Kurento

---

---

50

A

ISP

Pulsita Fonta Kurento

---

---

150

A

VSD

Dioda Antaŭa Tensio VGS=0V, miS=12A , TJ= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Inversa Reakiro Tempo IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃

---

62

---

nS

Qrr 

Inversa Reakiro Ŝarĝo

---

135

---

nC

 


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni