WSD45N10GDN56 N-kanalo 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSD45N10GDN56 N-kanalo 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Partonumero:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14,5 mΩ

Kanalo:N-kanalo

Pako:DFN5X6-8


Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

WINSOK MOSFET-produkta superrigardo

La tensio de WSD45N10GDN56 MOSFET estas 100V, la fluo estas 45A, la rezisto estas 14.5mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET aplikaj areoj

E-cigaredoj MOSFET, sendrata ŝargado MOSFET, motoroj MOSFET, virabeloj MOSFET, medicina prizorgado MOSFET, aŭtoŝargiloj MOSFET, regiloj MOSFET, ciferecaj produktoj MOSFET, malgrandaj hejmaj aparatoj MOSFET, konsumelektroniko MOSFET.

WINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.

MOSFET-parametroj

Simbolo

Parametro

Taksado

Unuoj

VDS

Drain-Fonto Tensio

100

V

VGS

Pordego-Source Tensio

±20

V

ID@TC=25

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Pulsita Drena Fluo

130

A

EASb

Ununura Pulso Lavanga Energio

169

mJ

IASb

Lavanga Fluo

26

A

PD@TC=25

Tuta Potenca Dissipado

95

W

PD@TA=25

Tuta Potenca Dissipado

5.0

W

TSTG

Stokado de Temperatura Gamo

-55 ĝis 150

TJ

Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo

-55 ĝis 150

 

Simbolo

Parametro

Kondiĉoj

Min.

Tip.

Maks.

Unuo

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, miD=250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSS Temperatura Koeficiento Referenco al 25, miD= 1 mA

---

0.0

---

V/

RDS(ON)d

Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 VGS=10V, miD=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Pordega Sojla Tensio VGS=VDS, miD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeficiento

---

-5   mV/

IDSS

Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=80V, VGS=0V , TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V, VGS=0V , TJ=55

---

- 30

IGSS

Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Pordega Rezisto VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Totala Pordega Ŝarĝo (10V) VDS=50V , VGS=10V, miD=26A

---

42

59

nC

Qgse

Pordego-Fonta Ŝargo

---

12

--

Qgde

Pordego-Drena Ŝarĝo

---

12

---

Td (ŝaltita)e

Enŝalta Prokrasto VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Leviĝo Tempo

---

9

17

Td (malŝaltita)e

Malŝalta Prokrasto

---

36

65

Tfe

Aŭtuna Tempo

---

22

40

Cisse

Eniga Kapacito VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Eligo Kapacitanco

---

215

---

Crsse

Inversa Transiga Kapacitanco

---

42

---


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni