WSD40120DN56 N-kanalo 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSD40120DN56 N-kanalo 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Partonumero:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1.85mΩ 

Kanalo:N-kanalo

Pako:DFN5X6-8


Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

WINSOK MOSFET-produkta superrigardo

La tensio de WSD40120DN56 MOSFET estas 40V, la fluo estas 120A, la rezisto estas 1.85mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET aplikaj areoj

E-cigaredoj MOSFET, sendrata ŝarĝo MOSFET, virabeloj MOSFET, medicina prizorgado MOSFET, aŭtoŝargiloj MOSFET, regiloj MOSFET, ciferecaj produktoj MOSFET, malgrandaj hejmaj aparatoj MOSFET, konsumelektroniko MOSFET.

WINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET TPH484SFIT 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametroj

Simbolo

Parametro

Taksado

Unuoj

VDS

Drain-Fonto Tensio

40

V

VGS

Pordego-Source Tensio

±20

V

ID@TC=25

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Pulsita Drena Fluo2

400

A

EAS

Ununura Pulso Lavanga Energio3

240

mJ

IAS

Lavanga Fluo

31

A

PD@TC=25

Tuta Potenca Dissipado4

104

W

TSTG

Stokado de Temperatura Gamo

-55 ĝis 150

TJ

Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo

-55 ĝis 150

 

Simbolo

Parametro

Kondiĉoj

Min.

Tip.

Maks.

Unuo

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, miD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeficiento Referenco al 25, miD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 VGS=10V, ID=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS(ON)

Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 VGS=4.5V, ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Pordega Sojla Tensio VGS=VDS, miD=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeficiento

---

—6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=32V , VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Antaŭen Transkonduktanco VDS=5V , miD=20A

---

55

---

S

Rg

Pordega Rezisto VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Totala Pordega Ŝarĝo (10V) VDS=20V , VGS=10V, miD=10A

---

76

91

nC

Qgs

Pordego-Fonta Ŝargo

---

12

14.4

Qgd

Pordego-Drena Ŝarĝo

---

15.5

18.6

Td (ŝaltita)

Enŝalta Prokrasto VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, miD=1A ,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Leviĝo Tempo

---

10

12

Td (malŝaltita)

Malŝalta Prokrasto

---

58

69

Tf

Aŭtuna Tempo

---

34

40

Ciss

Eniga Kapacito VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Eligo Kapacitanco

---

690

---

Crss

Inversa Transiga Kapacitanco

---

370

---


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni