WSD30150DN56 N-kanalo 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-produkta superrigardo
La tensio de WSD30150DN56 MOSFET estas 30V, la fluo estas 150A, la rezisto estas 1.8mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET aplikaj areoj
E-cigaredoj MOSFET, sendrata ŝarĝo MOSFET, virabeloj MOSFET, medicina prizorgado MOSFET, aŭtoŝargiloj MOSFET, regiloj MOSFET, ciferecaj produktoj MOSFET, malgrandaj hejmaj aparatoj MOSFET, konsumelektroniko MOSFET.
WINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
MOSFET-parametroj
| Simbolo | Parametro | Taksado | Unuoj |
| VDS | Drain-Fonto Tensio | 30 | V |
| VGS | Pordego-Source Tensio | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Pulsita Drena Fluo2 | 200 | A |
| EAS | Ununura Pulso Lavanga Energio3 | 125 | mJ |
| IAS | Lavanga Fluo | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Tuta Potenca Dissipado4 | 62.5 | W |
| TSTG | Stokado de Temperatura Gamo | -55 ĝis 150 | ℃ |
| TJ | Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo | -55 ĝis 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Kondiĉoj | Min. | Tip. | Maks. | Unuo |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, miD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeficiento | Referenco al 25℃, miD= 1 mA | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 | VGS=10V, miD=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4.5V , miD=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Pordega Sojla Tensio | VGS=VDS, miD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeficiento | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Fonto Elflua Fluo | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Pordego-Fonto Elflua Fluo | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Antaŭen Transkonduktanco | VDS=5V , miD=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Pordega Rezisto | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V) | VDS=15V , VGS=4.5V , miD=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Pordego-Fonta Ŝargo | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Pordego-Drena Ŝarĝo | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (ŝaltita) | Enŝalta Prokrasto | VDD=15V , VGEN=10V, RG=6Ω, miD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Leviĝo Tempo | --- | 12 | --- | ||
| Td (malŝaltita) | Malŝalta Prokrasto | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Aŭtuna Tempo | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Eniga Kapacito | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Eligo Kapacitanco | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Inversa Transiga Kapacitanco | 260 | 320 | 420 |
