WSD30150ADN56 N-kanalo 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSD30150ADN56 N-kanalo 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mallonga priskribo:

Partonumero:WSD30150ADN56

BVDSS:30V

ID:145A

RDSON:2.2mΩ 

Kanalo:N-kanalo

Pako:DFN5X6-8


Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

WINSOK MOSFET-produkta superrigardo

La tensio de WSD30150DN56 MOSFET estas 30V, la fluo estas 150A, la rezisto estas 1.8mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET aplikaj areoj

E-cigaredoj MOSFET, sendrata ŝarĝo MOSFET, virabeloj MOSFET, medicina prizorgado MOSFET, aŭtoŝargiloj MOSFET, regiloj MOSFET, ciferecaj produktoj MOSFET, malgrandaj hejmaj aparatoj MOSFET, konsumelektroniko MOSFET.

WINSOK MOSFET respondas al aliaj markmaterialaj nombroj

AOS MOSFET AON6512,AONS3234.

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.

MOSFET-parametroj

Simbolo

Parametro

Taksado

Unuoj

VDS

Drain-Fonto Tensio

30

V

VGS

Pordego-Source Tensio

±20

V

ID@TC=25

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7

150

A

ID@TC=100

Kontinua Drena Fluo, VGS@ 10V1,7

83

A

IDM

Pulsita Drena Fluo2

200

A

EAS

Ununura Pulso Lavanga Energio3

125

mJ

IAS

Lavanga Fluo

50

A

PD@TC=25

Tuta Potenca Dissipado4

62.5

W

TSTG

Stokado de Temperatura Gamo

-55 ĝis 150

TJ

Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo

-55 ĝis 150

 

Simbolo

Parametro

Kondiĉoj

Min.

Tip.

Maks.

Unuo

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, miD=250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeficiento Referenco al 25, miD= 1 mA

---

0.02

---

V/

RDS(ON)

Statika Drain-Fonto Sur-rezisto2 VGS=10V, miD=20A

---

1.8

2.4 mΩ
VGS=4.5V , miD=15A  

2.4

3.2

VGS(th)

Pordega Sojla Tensio VGS=VDS, miD=250uA

1.4

1.7

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeficiento

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=24V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Antaŭen Transkonduktanco VDS=5V , miD=10A

---

27

---

S

Rg

Pordega Rezisto VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , miD=30A

---

26

---

nC

Qgs

Pordego-Fonta Ŝargo

---

9.5

---

Qgd

Pordego-Drena Ŝarĝo

---

11.4

---

Td (ŝaltita)

Enŝalta Prokrasto VDD=15V , VGEN=10V, RG=6Ω, miD=1A, RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Leviĝo Tempo

---

12

---

Td (malŝaltita)

Malŝalta Prokrasto

---

69

---

Tf

Aŭtuna Tempo

---

29

---

Ciss

Eniga Kapacito VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz 2560 3200

3850

pF

Coss

Eligo Kapacitanco

560

680

800

Crss

Inversa Transiga Kapacitanco

260

320

420


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni