WSD30140DN56 N-kanalo 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

produktoj

WSD30140DN56 N-kanalo 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Mallonga priskribo:


  • Modela Nombro:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1.7mΩ
  • ID:85A
  • Kanalo:N-kanalo
  • Pako:DFN5*6-8
  • Somera Produkto:La tensio de WSD30140DN56 MOSFET estas 30V, la fluo estas 85A, la rezisto estas 1.7mΩ, la kanalo estas N-kanalo, kaj la pako estas DFN5 * 6-8.
  • Aplikoj:Elektronikaj cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj, konsumelektroniko ktp.
  • Produkta Detalo

    Apliko

    Produktaj Etikedoj

    Ĝenerala priskribo

    La WSD30140DN56 estas la plej alta rendimento tranĉea N-kanala MOSFET kun tre alta ĉela denseco provizanta bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj sinkronaj buck-konvertilaj aplikoj.WSD30140DN56 konformas al RoHS kaj verdaj produktopostuloj, 100% EAS-garantio, plena funkcio fidindeco aprobita.

    Trajtoj

    Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio, ultra-malalta pordega ŝargo, bonega CdV/dt-efika malfortiĝo, 100% EAS-garantio, verdaj aparatoj haveblaj

    Aplikoj

    Altfrekvenca punkto-de-ŝarĝo-sinkronigo, buktransformiloj, interkonektaj DC-DC elektrosistemoj, elektraj ilaplikoj, elektronikaj cigaredoj, sendrata ŝargado, virabeloj, medicina prizorgo, aŭtoŝargado, regiloj, ciferecaj produktoj, malgrandaj aparatoj, konsumelektroniko

    responda materiala nombro

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.SUR NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

    Gravaj parametroj

    Simbolo Parametro Taksado Unuoj
    VDS Drain-Fonto Tensio 30 V
    VGS Pordega-Fonta Tensio ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Kontinua Drena Kurento, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Pulsita Drena Kurento2 300 A
    PD@TC=25℃ Tuta Potenca Dissipado4 50 W
    TSTG Stokado de Temperatura Gamo -55 ĝis 150
    TJ Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo -55 ĝis 150
    Simbolo Parametro Kondiĉoj Min. Tip. Maks. Unuo
    BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatura Koeficiento Referenco al 25℃, ID=1mA --- 0.02 --- V/℃
    RDS(ON) Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2 VGS=10V , ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4.5V , ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Pordega Sojla Tensio VGS=VDS , ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Drain-Fonto Elflua Fluo VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Pordego-Fonto Elflua Fluo VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Antaŭen Transkonduktanco VDS=5V , ID=20A --- 90 --- S
    Qg Totala Pordega Ŝarĝo (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Pordego-Fonta Ŝargo --- 9.5 ---
    Qgd Pordego-Drena Ŝarĝo --- 11.4 ---
    Td (ŝaltita) Enŝalta Prokrasto VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Leviĝotempo --- 6 ---
    Td (malŝaltita) Malŝalta Prokrasto --- 38.5 ---
    Tf Aŭtuna Tempo --- 10 ---
    Ciss Eniga Kapacito VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Eliga Kapacito --- 1280 ---
    Crss Inversa Transiga Kapacitanco --- 160 ---

  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Skribu vian mesaĝon ĉi tie kaj sendu ĝin al ni