WSD20L120DN56 P-kanalo -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Mallonga priskribo:

Modela Nombro:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2.1mΩ

ID:—120A

Kanalo:P-kanalo

Pako:DFN5*6-8

Somera Produkto:La MOSFET WSD20L120DN56 funkcias je -20 voltoj kaj ĉerpas kurenton de -120 amperoj.Ĝi havas reziston de 2.1 miliohmoj, P-kanalo, kaj venas en pakaĵo DFN5*6-8.

Aplikoj:E-cigaredoj, sendrataj ŝargiloj, motoroj, virabeloj, medicina ekipaĵo, aŭtoŝargiloj, regiloj, ciferecaj aparatoj, malgrandaj aparatoj kaj konsumelektroniko.

Sendu retpoŝton al ni PDF

Produkta Detalo

Apliko

Produktaj Etikedoj

Ĝenerala priskribo

La WSD20L120DN56 estas plej alta rendimenta P-Ch MOSFET kun alt-denseca ĉelstrukturo, donante bonegan RDSON kaj pordegan ŝargon por la plej multaj sinkronaj uzoj de buck-konvertilo.La WSD20L120DN56 plenumas 100% EAS-postulojn por RoHS kaj ekologiemaj produktoj, kun plenfunkcia fidindeco-aprobo.

Trajtoj

1, Altnivela altĉela denseca Trench-teknologio
2, Super Malalta Pordega Ŝarĝo
3, Bonega CdV/dt-efika malkresko
4, 100% EAS Garantiita 5, Verda Aparato Havebla

Aplikoj

Altfrekvenca Punkto-de-Ŝarĝo Sinkrona Buck-Konvertilo por MB/NB/UMPC/VGA, Retiga DC-DC Potenca Sistemo, Ŝarĝŝaltilo, E-cigaredo, Sendrata Ŝargilo, Motoroj, Virabeloj, Medicina, Aŭta Ŝargilo, Regilo, Ciferecaj Produktoj, Malgrandaj Hejmaj Aparatoj, Consumer Electronics.

responda materiala nombro

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Gravaj parametroj

Simbolo	Parametro	Taksado		Unuoj
Simbolo	Parametro	10s	Konstanta stato	Unuoj
VDS	Drain-Fonto Tensio	-20		V
VGS	Pordega-Fonta Tensio	±10		V
ID@TC=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	—120		A
ID@TC=100℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	—69,5		A
ID@TA=25℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Kontinua Drena Kurento, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulsita Drena Kurento2	—340		A
EAS	Ununura Pulso Lavanga Energio3	300		mJ
IAS	Lavanga Fluo	—36		A
PD@TC=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	130		W
PD@TA=25℃	Tuta Potenca Dissipado4	6.8	6.25	W
TSTG	Stokado de Temperatura Gamo	-55 ĝis 150		℃
TJ	Funkcianta Krucvoja Temperaturo Intervalo	-55 ĝis 150		℃

Simbolo	Parametro	Kondiĉoj	Min.	Tip.	Maks.	Unuo
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatura Koeficiento	Referenco al 25℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2	VGS=-4.5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Statika Drenilo-Fonto Sur-Rezisto2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Pordega Sojla Tensio	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0,6	-1.0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeficiento		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Fonto Elflua Fluo					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Pordego-Fonto Elflua Fluo	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Antaŭen Transkonduktanco	VDS=-5V , ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Pordega Rezisto	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Totala Pordega Ŝarĝo (-4.5V)	VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Pordego-Fonta Ŝargo		---	21	---
Qgd	Pordego-Drena Ŝarĝo		---	32	---
Td (ŝaltita)	Enŝalta Prokrasto	VDD=-10V, VGEN=-4.5V, RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω	---	20	---	ns
Tr	Leviĝotempo		---	50	---
Td (malŝaltita)	Malŝalta Prokrasto		---	100	---
Tf	Aŭtuna Tempo		---	40	---
Ciss	Eniga Kapacito	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Eliga Kapacito		---	380	---
Crss	Inversa Transiga Kapacitanco		---	290	---