Rapida ŝarga teknologio, kiel kerna parto de modernaj elektronikaj ekipaĵoj, rapide evoluas kaj evoluas.Movataj de la rapida ŝarga merkato, industrioj kiel saĝtelefonoj kaj elektraj veturiloj ĉiam pli postulas rapidajn kaj efikajn ŝargajn solvojn.Novigado en rapida ŝarga teknologio ne nur fokusiĝas al plibonigo de ŝarga rapideco, sed ankaŭ emfazas sekurecon.Rigardante al la estonteco, rapida ŝarĝa teknologio estos kombinita kun sendrata ŝarĝo kaj pli efika bateria teknologio por atingi kvalitan salton kaj alporti al uzantoj pli oportunan kaj ekologieman ŝarĝan sperton.Kun la disvolviĝo de teknologio kaj la ekspansio de la merkato, la industrio de rapida ŝarĝo atendas daŭre konservi rapidan kreskon.
Kiam ni parolas pri la aplikado deMOSFETen rapida ŝarga teknologio, estas fakte pluraj kapdoloroj.
Antaŭ ĉio, ĉar rapida ŝargado postulas grandan kurenton, laMOSFETtre varmiĝos, kaj kiel trakti ĉi tiun varmecon fariĝas granda problemo.Tiam, estas ankaŭ efikaj defioj.Kiam ŝanĝas rapide, la MOSFET facile perdas parton de sia energio, kio influas la ŝarĝan efikecon.Krome, rapida ŝarga ekipaĵo esperas esti kiel eble plej malgranda, sed ĉi tio postulas, ke la MOSFET estu malgranda kaj ankaŭ trakti la varmegan problemon.Ĉar MOSFET ŝaltas rapide, ĝi povas malhelpi aliajn elektronikajn ekipaĵojn, kio ankaŭ estas problemo.Fine, la rapida ŝarga medio havas altajn postulojn pri la eltena tensio kaj fluo de MOSFEToj, kio estas testo por ilia agado.Labori en ĉi tiu medio dum longa tempo ankaŭ povas influi ilian funkcidaŭron kaj fidindecon.Mallonge, kvankam MOSFET estas kritika por rapida ŝargado, ĝi ja alfrontas multajn defiojn.
WINSOKMOSFET eble povas helpi vin solvi la suprajn problemojn.La ĉefaj aplikaj modeloj de WINSOK MOSFET en rapida ŝarĝo estas:
| Partnumero | Agordo | Tajpu | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pako | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Tip. | Maks. | Tip. | Maks. | (pF) | ||||
| Unuopa | N-Ĉ | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Unuopa | P-Ĉ | -30 | —40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Unuopa | N-Ĉ | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Unuopa | N-Ĉ | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Unuopa | P-Ĉ | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Unuopa | P-Ĉ | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ĉ | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ĉ | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Unuopa | N-Ĉ | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Aliaj markmaterialaj nombroj respondaj al ĉi-supra WINSOK MOSFET estas:
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSD3050DN estas: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS49S49NY49SNTFNY49SNTFNY4989. -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSD30L40DN estas: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12503EEA.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSP6020 estas:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor-PDS56904.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSP16N10 estas: AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSP4435 estas: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4803A, AO4448073, AO4448073. ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikroelektroniko STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4435,.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSP4407 estas: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10PLLS306PLLS36,S6673BZ.VISHAY. H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSP4606 estas:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958AO4620AO4620. 01CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
La respondaj materialaj nombroj de WINSOK MOSFET WSR80N10 estas:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G6NPSHI00P08 G6N50N10F7.Nxperian BA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Afiŝtempo: Nov-28-2023
